[发明专利]阵列基板、显示装置和制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管和衬底，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括半导体层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括挡光隔热层，所述半导体层设置在所述挡光隔热层上；

所述挡光隔热层包括挡光基体和片状团簇结构，所述挡光基体设置有多孔结构，所述多孔结构包括多个孔洞，所述孔洞内设置所述片状团簇结构；

其中，所述挡光隔热层用于遮挡入射光线，所述片状团簇结构用于吸收所述入射光线产生的热量；

所述片状团簇结构的体积随温度高低变化，所述片状团簇结构温度高时的体积比所述片状团簇结构温度低时的体积大；

其中，光线照射时所产生的热量会被位于孔洞内的片状团簇结构吸收，使得位于孔洞内的片状团簇结构发生形变，所述片状团簇结构吸收热量发生形变时，所述片状团簇结构的体积不会将孔洞的空间完全填满；

当光线停止射出时，片状团簇结构无法吸收热量，片状团簇结构会缓慢恢复至接近未收到光线照射影响时的状态。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极金属层、绝缘层、源极金属层、漏极金属层和钝化层，所述绝缘层设置在所述栅极金属层上且覆盖所述栅极金属层，所述半导体层设置在所述绝缘层上，所述源极金属层和所述漏极金属层相互间隔设置在所述半导体层上，所述钝化层覆盖设置在所述源极金属层、所述漏极金属层、所述半导体层以及所述绝缘层上；

所述挡光隔热层设置在所述栅极金属层远离所述半导体层的一侧上，沿所述衬底的厚度方向上，所述栅极金属层的正投影覆盖所述半导体层，所述挡光隔热层的正投影覆盖所述栅极金属层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述片状团簇结构包括反光材料和吸热材料，所述反光材料和所述吸热材料混合形成所述片状团簇结构。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述片状团簇结构包括反光材料和吸热材料，所述反光材料设置在所述吸热材料的外表面以形成所述片状团簇结构。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述反光材料是银、铜、铝、铁和钛中的一种或其中至少两种的合金；

所述吸热材料是石墨烯片、聚苯胺、碳纳米管、碳黑和氧化锌中任意一种；

所述挡光基体是聚氨酯、乙烯/醋酸乙烯酯共聚物和交联聚乙烯中任意一种制成。

6.一种显示装置，其特征在于，包括彩膜基板和如权利要求1-5任意一项所述的阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板对盒设置。

7.一种制备方法，应用于如权利要求1-6任意一项所述的挡光隔热层，其特征在于，包括步骤：

制备内部有多孔结构的挡光基体；

制备片状团簇结构；以及

将片状团簇结构采用油溶性溶剂进行分散，以涂布至所述挡光基体的多孔结构内形成挡光隔热层；

其中，所述片状团簇结构为亲水性材料制成。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备片状团簇结构的步骤包括：

石墨烯片状粉体分散液中加入纳米反光材料粉末；

通过超声分散混合预设时间；

置于真空烘箱中真空干燥形成石墨烯材料和反光材料相互掺杂的片状团簇结构。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备片状团簇结构的步骤包括：

石墨烯片状粉体置于有纳米反光材料的蒸镀箱；

将纳米反光材料蒸镀于石墨烯片状粉体表面形成片状团簇结构。