[发明专利]一种防碰撞控制方法有效
申请号: | 202210322608.0 | 申请日: | 2022-03-29 |
公开(公告)号: | CN114589615B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 吴燕林;周庆亚;李嘉浪;张康;刘福强 | 申请(专利权)人: | 北京晶亦精微科技股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/00 | 分类号: | B24B37/00;B24B37/005;B24B55/00 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 穆瑞丹 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碰撞 控制 方法 | ||
本发明涉及半导体加工设备技术领域,其目的是提供一种防碰撞控制方法,监测扫描配方安全性时可靠性强、准确性高。上述的防碰撞控制方法包括:获取tsubgt;0/subgt;+i×Δt时刻第一运动件预计位置Ssubgt;Ai/subgt;和第二运动件预计位置Ssubgt;Bi/subgt;;并计算二者之间的距离Q;若距离Q小于或等于碰撞距离ΔQ,则对两者运动方向进行判断,若两者为相向运动则tsubgt;0/subgt;+i×Δt时刻两者可能会碰撞,需进行避让,若两者不是相向运动则说明tsubgt;0/subgt;+i×Δt时刻两者不会碰撞;若距离Q大于碰撞距离ΔQ,则说明两者不会碰撞,并按上述步骤对总执行时间T内每过Δt时刻两者是否碰撞进行判断。本发明解决了现有人为监测扫描配方安全性的方法可靠性差且易损坏设备的问题。
技术领域
本发明涉及半导体加工设备技术领域,具体涉及一种防碰撞控制方法。
背景技术
化学机械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization,简称CMP)在半导体工艺过程中起着重要的作用,是实现晶圆表面平坦化的关键工艺。CMP设备在工作过程中,晶圆安装在抛光头上,抛光头压迫晶圆,通过晶圆与抛光垫表面接触进行化学机械抛光,与此同时修整器会对抛光垫的表面形貌进行修整,进而通过抛光垫的表面形貌影响晶圆的表面形貌。
在抛光过程中,抛光头和修整器除了自身进行旋转运动外,还会按照设定的扫描配方在抛光垫上进行扫描运动。针对不同的晶圆产品,需要设置不同的扫描配方才能使晶圆表面形貌达到最佳状态,但是每个新的扫描配方都需要监测其安全性,防止抛光头和修整器在运动过程中出现碰撞的情况。
目前,监测扫描配方安全性的主要方式是人工观测,通过人为观测抛光头和修整器的运动位置,在两者即将发生碰撞时,按下急停按钮,使设备停止。这种测试方法受人为因素影响很大,很容易由于人为判断失误而出现误差,可靠性较差,而且多次操作急停按钮停止设备,会对设备造成一定的损害,影响其使用寿命。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的人为监测扫描配方安全性的方法可靠性差且容易损坏设备的缺陷,从而提供一种可靠性强、准确性高、保护设备不易损坏的防碰撞控制方法。
为此,本发明提供了一种防碰撞控制方法,包括以下步骤:
根据原扫描配方,获取t0+i×Δt时刻,第一运动件预计位置SAi和第二运动件预计位置SBi,其中i为正整数且初始值为1;
根据所述第一运动件预计位置SAi和所述第二运动件预计位置SBi,计算二者之间的距离Q;
比较所述距离Q与碰撞距离ΔQ的大小;
如果所述距离Q小于或等于所述碰撞距离ΔQ,则判断第一运动件运动方向与第二运动件运动方向是否为相向运动;
如果是相向运动,则避让,然后令i=i+1,比较t0+i×Δt与所述原扫描配方总执行时间T的大小;
如果t0+i×Δt大于所述总执行时间T,则结束;
如果t0+i×Δt小于或等于所述总执行时间T,则重复执行上述步骤;
如果不是相向运动,则i=i+1,比较t0+i×Δt与所述总执行时间T的大小;
如果t0+i×Δt大于所述总执行时间T,则结束;
如果t0+i×Δt小于或等于所述总执行时间T,则重复执行上述步骤;
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