[发明专利]一种钙钛矿／硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池，包括硅基子电池和层叠设于硅基子电池上的钙钛矿子电池，其特征在于，所述硅基子电池与钙钛矿子电池之间设有由p型重掺杂非晶硅层和n型重掺杂非晶硅层形成的中间层或复合结；

所述p型重掺杂非晶硅层的厚度为1～30nm，掺杂浓度为10¹⁸–10²⁰cm^-3；所述n型重掺杂非晶硅层的厚度为1～30nm，掺杂浓度为10¹⁸–10²⁰cm^-3；

所述叠层太阳能电池为正式叠层结构，所述硅基子电池包括由下到上依次层叠设置的第一金属电极、第一透明导电层、n型掺杂非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型单晶硅层和第二本征非晶硅层，所述钙钛矿子电池包括由下到上依次层叠设置的第一电子传输层、第二电子传输层、钙钛矿吸光层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第二透明导电层和第二金属电极层，所述中间层或复合结为由下到上依次层叠设置在第二本征非晶硅层与第一电子传输层之间的p型重掺杂非晶硅层和n型重掺杂非晶硅层；

或所述叠层太阳能电池为反式叠层结构，所述硅基子电池包括由下到上依次层叠设置的第一金属电极、第一透明导电层、p型掺杂非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型单晶硅层和第二本征非晶硅层，所述钙钛矿子电池包括由下到上依次层叠设置的第一空穴传输层、第二空穴传输层、钙钛矿吸光层、第一电子传输层、第二电子传输层、第二透明导电层和第二金属电极层，所述中间层或复合结为由下到上依次层叠设置在第二本征非晶硅层与第一空穴传输层之间的n型重掺杂非晶硅层和p型重掺杂非晶硅层。

2.根据权利要求1所述钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一金属电极和第二金属电极采用银、铜、金、铝、钯、钛、铬、或镍中的一种或几种材料制成；所述第一透明导电层和第二透明导电层均为透明金属氧化物导电层，透明金属氧化物导电层采用氧化铟锡、氧化铟钨、掺氟氧化锡、氧化铟锌或掺铝氧化锌中的一种或几种材料制成。

3.根据权利要求1所述钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一空穴传输层和/或第二空穴传输层采用p型半导体材料制成；所述第一电子传输层和/或第二电子传输层采用n型半导体材料制成。

4.根据权利要求1所述钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿吸光层的材料为ABX₃结构，ABX₃结构由角共享BX₆八面体及位于其空隙的A阳离子构成，其中，A为一价阳离子；B为二价阳离子；X为卤素阴离子。