[发明专利]半导体封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

导电材料，所述导电材料设置成与半导体管芯电接触；

保护性模具结构，所述保护性模具结构设置在所述半导体管芯上；以及

介电层，所述介电层设置在所述半导体管芯上并且在所述保护性模具结构与所述导电材料之间。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述介电层将所述导电材料与所述保护性模具结构电隔离。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述介电层设置在所述半导体管芯的顶部部分上和所述半导体管芯的侧部部分上，所述介电层设置在所述半导体管芯的所述侧部部分的至少一部分与所述保护性模具结构之间。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述保护性模具结构设置在所述半导体管芯的所述侧部部分的至少第二部分上。

5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述介电层在所述半导体管芯的所述侧部部分上限定阶梯状结构。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括重分布层，所述重分布层包括设置在所述介电层上的至少第二介电层。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第二介电层的一部分设置在所述保护性模具结构上。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述保护性模具结构包括环氧模塑化合物。

9.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：

在半导体管芯上形成介电层；

形成与所述半导体管芯电接触的导电材料；以及

在所述半导体管芯上形成保护性模具结构，其中，所述介电层设置在所述保护性模具结构与所述导电材料之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述介电层将所述导电材料与所述保护性模具结构电隔离。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述半导体管芯的顶部部分上和所述半导体管芯的侧部部分上形成所述介电层，所述介电层设置在所述保护性模具结构与所述半导体管芯的所述侧部部分的至少一部分之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述半导体管芯的所述侧部部分的至少第二部分上形成所述保护性模具结构。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括切割所述半导体管芯，以在所述半导体管芯的所述侧部部分上形成阶梯状结构，其中，在所述阶梯状结构上形成所述介电层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

所述阶梯状结构包括至少第一台阶；

所述方法还包括至少一个附加次数地切割所述半导体管芯以形成所述阶梯状结构的至少一个附加台阶；并且

在所述阶梯状结构的所述至少第一台阶和所述至少一个附加台阶上形成所述介电层。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括在第一半导体电路与第二半导体电路之间切割所述半导体管芯以将所述第一半导体电路和所述第二半导体电路分开，所述切割是通过所述阶梯状结构执行的。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在所述第一半导体电路和所述第二半导体电路已经通过所述切割分开之后，在所述第一半导体电路与所述第二半导体电路之间的间隙中形成所述保护性模具结构。

17.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述形成所述保护性模具结构之前形成所述导电材料。