[发明专利]非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质

说明书

本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种非易失性存储单元的数据处理方法、一种非易失性存储单元的数据处理装置及一种机器可读存储介质。

背景技术

阻变存储器（RRAM, Resistive Random Access Memory）是一种基于忆阻器件工作原理的新型存储器。阻变存储器具有结构简单，与现有 CMOS 工艺兼容，高微缩性，多值存储，易于 3D 集成等优点，在对存储器进行写操作时，通过在忆阻器两个极板上施加不同极性的电压，即可实现忆阻器在不同状态间的转换，从而实现数据的写入。而写入数据的保存时间与阻变存储器的数据保持特性（retention）密切相关，其中，RRAM器件的数据保持特性即其在断电后其存储的高、低阻态能够保持的时间。目前，现有技术在对RRAM器件进行数据写入时往往对RRAM器件施加固定的编程电压，没有考虑不同数据的数据热度类别，导致了功耗的增加。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种基于脉冲神经网络的图像编码方法及一种基于脉冲神经网络的图像编码装置，以解决上述问题。

为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种非易失性存储单元的数据处理方法，包括：

获取待处理数据；

确定所述待处理数据对应的数据热度类别；

向所述非易失性存储单元施加与所述待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将所述待处理数据写入所述非易失性存储单元。

可选地，所述待处理数据对应的数据热度类别包括热数据；向所述非易失性存储单元施加与所述待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，包括：

在确定所述待处理数据对应的数据热度类别为热数据的情况下，向所述非易失性存储单元施加第一编程电压信号。

可选地，所述待处理数据对应的数据热度类别还包括冷数据；向所述非易失性存储单元施加与所述待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，包括：

在确定所述待处理数据对应的数据热度类别为冷数据的情况下，向所述非易失性存储单元施加第二编程电压信号；

所述第一编程电压信号小于所述第二编程电压信号。

可选地，所述待处理数据对应的数据热度类别还包括温数据；向所述非易失性存储单元施加与所述待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，包括：

在确定所述待处理数据对应的数据热度类别为温数据的情况下，向所述非易失性存储单元施加第三编程电压信号；

所述第三编程电压信号大于所述第一编程电压信号，且所述第三编程电压信号小于所述第二编程电压信号。

可选地，向所述非易失性存储单元施加第一编程电压信号之后，所述方法还包括：

若所述待处理数据在预设时间区间内没有被读取，将所述待处理数据重新写入所述非易失性存储单元。

可选地，将所述待处理数据重新写入所述非易失性存储单元之后，所述方法还包括：

若所述待处理数据被连续N次重新写入所述非易失性存储单元，则将所述待处理数据的数据热度类别更新为温数据。