[发明专利]一种低噪声放大器及芯片在审
| 申请号： | 202210309131.2 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114844470A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 郑怡珊;冯文杰;罗雄耀;朱浩慎;车文荃;薛泉 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/193 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑宏谋 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低噪声放大器 芯片 | ||
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：
第一晶体管，射频输入端依次经过第一电容、第三电感后与第一晶体管的栅极相连，第一电容和第三电感的连接点与第一电感的一端连接，第一电感的另一端连接第一偏置电压；第一晶体管的源极通过第二电感接地，第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极连接；
第一电感和第二电感构成第一变压器；
第二晶体管，第二晶体管的漏极通过第五电感连接到电源，第二晶体管的栅极通过第一电阻连接到电源，第二晶体管的漏极与第三晶体管的栅极连接；
第三晶体管，第三晶体管的源极通过第七电感接地，第三晶体管的漏极通过第八电感与
第四晶体管的源极连接；第五电感和第七电感构成第二变压器；
第四晶体管，第四晶体管的漏极通过第九电感连接到电源，第四晶体管的栅极通过第十电感连接到电源；第八电感和第九电感构成第三变压器；第四晶体管的漏极作为射频输出端。
2.根据权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第四电感，所述第四电感连接在第一晶体管的漏极和第二晶体管的源极之间。
3.根据权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第二电容和第六电感，所述第二电容和第六电感串联在第二晶体管的漏极和第三晶体管的栅极之间。
4.根据权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括旁路电容，所述第二晶体管的栅极通过所述旁路电容接地。
5.根据权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的衬底均通过衬底隔离电阻接地。
6.根据权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第二电阻，所述第二电阻的一端与第三晶体管的栅极连接，所述第二电阻的另一端连接第二偏置电压。
7.一种通信芯片，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的一种低噪声放大器。
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