[发明专利]基于可视的晶片凹口的位置测量在审
申请号: | 202210308785.3 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN114914184A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 古斯塔沃·G·弗兰肯;布兰登·森;彼得·陶拉德;陈卓智;理查德·K·莱昂斯;克里斯汀·迪皮特罗;克里斯多夫·M·巴特利特 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 可视 晶片 凹口 位置 测量 | ||
1.一种晶片对准系统,其包括:
图像捕获模块,其被配置为捕获定位在支撑表面上的晶片的一张图像;
图像分析模块,其被配置为(i)分析捕获的所述图像以识别所述晶片的边缘和形成在所述晶片的凹口,并且(ii)基于所述凹口的位置计算与所述晶片的所述边缘对应的第一边缘位置和第二边缘位置;
偏移计算模块,其被配置为基于所述第一边缘位置和所述第二边缘位置中的至少一者计算所述晶片的角度偏移;以及
系统控制模块,其被配置为基于所述角度偏移调节所述晶片的旋转方向。
2.根据权利要求1所述的晶片对准系统,其中所述第一边缘位置和第二边缘位置离所述凹口的所述位置相距预定的距离。
3.根据权利要求1所述的晶片对准系统,其中,为了计算所述角度偏移,所述偏移计算模块被配置为比较所述第一边缘位置和所述第二边缘位置与第三边缘位置和第四边缘位置。
4.根据权利要求3所述的晶片对准系统,其中所述角度偏移对应于所述第一边缘位置和所述第三边缘位置之间的差以及所述第二边缘位置和所述第四边缘位置之间的差。
5.根据权利要求3所述的晶片对准系统,其中所述第三边缘位置和所述第四边缘位置对应于测试晶片的边缘。
6.根据权利要求5所述的晶片对准系统,其中所述图像分析模块使用在所述测试晶片被布置在所述支撑表面上的基准位置时拍摄的图像计算所述第三边缘位置和所述第四边缘位置。
7.根据权利要求5所述的晶片对准系统,其中,所述第一边缘位置、所述第二边缘位置、所述第三边缘位置和所述第四边缘位置各自对应于所述图像捕获模块的视场内的坐标。
8.根据权利要求5所述的晶片对准系统,其还包括布置在所述晶片的与所述图像捕获模块相对的一侧上的光源,其中,所述光源被布置为投射穿过所述晶片朝向所述图像捕获模块的光。
9.根据权利要求8所述的晶片对准系统,其中所述光源被布置为照射所述图像捕获模块的视场。
10.根据权利要求1所述的晶片对准系统,其中所述系统控制模块被配置为基于所述角度偏移调整处理单元的加载位置,并控制所述晶片到所述处理单元的转移。
11.一种晶片对准方法,其包括:
捕获定位在支撑表面上的晶片的一张图像;
分析捕获的所述图像,以识别所述晶片的边缘和形成在所述晶片的凹口;并基于所述凹口的位置计算与所述晶片的所述边缘对应的第一边缘位置和第二边缘位置;
基于所述第一边缘位置和所述第二边缘位置中的至少一者计算所述晶片的角度偏移;以及
基于所述角度偏移调节所述晶片的旋转方向。
12.根据权利要求11所述的晶片对准方法,其中所述第一边缘位置和所述第二边缘位置离所述凹口的所述位置相距预定的距离。
13.根据权利要求11所述的晶片对准方法,其中,计算所述角度偏移包括比较所述第一边缘位置和所述第二边缘位置与第三边缘位置和第四边缘位置。
14.根据权利要求13所述的晶片对准方法,其中所述角度偏移对应于所述第一边缘位置和所述第三边缘位置之间的差以及所述第二边缘位置和所述第四边缘位置之间的差。
15.根据权利要求13所述的晶片对准方法,其中所述第三边缘位置和所述第四边缘位置对应于测试晶片的边缘。
16.根据权利要求15所述的晶片对准方法,其还包括使用在所述测试晶片被布置在所述支撑表面上的基准位置时拍摄的图像计算所述第三边缘位置和所述第四边缘位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造