[发明专利]射频发射线圈的损耗模型确定方法、装置、设备及介质有效
| 申请号: | 202210308684.6 | 申请日: | 2022-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN114417639B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
| 发明(设计)人: | 李烨;尹雪彤;郑海荣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
| 地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射频 发射 线圈 损耗 模型 确定 方法 装置 设备 介质 | ||
1.一种射频发射线圈的损耗模型确定方法,其特征在于,包括:
获取实测环境中磁共振系统射频发射线圈的各个发射通道的散射参数的至少两个评价指标的第一指标数据,所述散射参数的至少两个评价指标包括3dB带宽和输入阻抗;
为虚拟射频发射线圈的每个电路元器件并联或串联一等效电阻,以建立损耗仿真模型,所述电路元器件为电容和/或电感;
调整所述损耗仿真模型中各个发射通道的等效电阻和匹配电容,以使调整后的损耗仿真模型中的所述各个发射通道的散射参数的至少两个评价指标的第二指标数据与对应的第一指标数据之间的误差在相应的阈值范围内,以得到用于SAR值预测的所述射频发射线圈的损耗模型,包括:确定当前损耗仿真模型中获取的各个发射通道的第二带宽数据与实测环境下获取的各个发射通道的第一带宽数据之间的第一误差,在检测到所述第一误差超出第一阈值范围的上限值时降低所述等效电阻的阻值,在检测到所述第一误差超出所述第一阈值范围的下限值时升高所述等效电阻的阻值,在检测到所述第一误差在所述第一阈值范围内时,将所述等效电阻的当前阻值作为目标阻值;确定所述当前损耗仿真模型中获取的各个发射通道的第二输入阻抗数据与实测环境中获取的各个发射通道的第一输入阻抗数据之间的第二误差,在检测到所述第二误差超出第二阈值范围的上限值时增大匹配电容的电容量,在检测到所述第二误差超出所述第二阈值范围的下限值时降低所述匹配电容的电容量,在检测到所述第二误差在所述第二阈值范围内时,将所述匹配电容的当前电容量作为目标电容量。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取实测环境中磁共振系统射频发射线圈的各个发射通道的散射参数的至少两个评价指标的第一指标数据,包括:
获取实测环境中采集的磁共振系统射频发射线圈的各个发射通道的散射参数数据;
根据各个发射通道的散射参数数据确定各个发射通道的第一3dB带宽数据和第一输入阻抗数据。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
获取实测环境中所述射频发射线圈内侧的支撑层的第一参数数据;
所述为虚拟射频发射线圈的每个电路元器件并联或串联一等效电阻,以建立损耗仿真模型,包括:
根据所述第一参数数据在虚拟射频发射线圈的内侧搭建支撑层,为所述虚拟射频发射线圈的每个电路元器件并联或串联一等效电阻,以建立损耗仿真模型。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
获取实测环境中所述射频发射线圈外侧的屏蔽层的第二参数数据;
所述为虚拟射频发射线圈的每个电路元器件并联或串联一等效电阻,以建立损耗仿真模型,包括:
根据所述第二参数数据在虚拟射频发射线圈的外侧搭建屏蔽层,为所述虚拟射频发射线圈的每个电路元器件并联或串联一等效电阻,以建立损耗仿真模型。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
为所述电容串联或并联一等效电阻;
为所述电感串联或并联一等效电阻。
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