[发明专利]一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风在审

专利信息
申请号: 202210303965.2 申请日: 2022-03-26
公开(公告)号: CN114727207A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 王云龙;陈小康 申请(专利权)人: 通用微(深圳)科技有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04
代理公司: 深圳市江凌专利代理事务所(普通合伙) 44814 代理人: 陈晓霞
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 光源 防风 干扰 麦克风
【说明书】:

发明涉及硅麦克风技术领域,具体涉及一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风;包括麦克风主体,麦克风主体上设置有屏蔽罩,屏蔽罩上设置有长条形的进声口,进声口相对的两侧边向屏蔽罩内部延伸形成引导舌板,引导舌板的头部与屏蔽罩主体形成圆滑过渡结构,两个引导舌板之间形成进声缝隙。本发明对进声口处的结构进行优化改进,通过进声缝隙减弱外部光噪和风噪的影响,同时保障声音传播;在屏蔽罩内的麦克风主体能够更加稳定的运行,避免在外部干扰下导致硅麦克风运行差错,提高了硅麦克风在实际应用中的可靠性,提高了使用硅麦克风的体验度。

技术领域

本发明涉及硅麦克风技术领域,具体涉及一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风。

背景技术

目前在消费类电子产品中广泛使用的前进声硅麦克风(包括模拟和数字输出的硅麦克风),其外贴的屏蔽罩均设置有一个比较大的圆形进声孔,声音则通过圆形进声孔到达硅麦克风内部的MEMS和ASIC芯片从而实现声电转换。但是由于屏蔽罩整体尺寸较小,很难手动或自动化外加任何保护材料,即使增加上保护材料其成本也是大幅度上升。所以在使用过程中硅麦克风内部的MEMS芯片特别容易受到高亮光源和风噪的干扰,以及灰尘、水或液体的覆盖和侵蚀的影响,这些不利因素最终会导致MEMS芯片性能下降,严重的会影响到整个产品的使用和客户的体验感。

关于高亮光源的影响,如果高亮光源照射到MEMS芯片,MEMS芯片内部的电子被光子激发出来,会形成一种无规律运动的电流,即产生一种电子噪声信号,最后通过ASIC芯片输出音频噪声信号。尤其在高亮光源“一闪一闪”时,硅麦会产生同节奏“哒哒”的干扰噪声信号,这不是我们乐意听到的声音,所以需要加以规避。从能量转化的角度来看,这是一个光生电,光能转化为电能的过程,也就是所谓的半导体光学效应,只是这种光电信号是一种无用的干扰噪声信号,所以可以定义为“光噪”。

关于风噪的影响,当环境风声较大或使用硅麦者处于高速运动时,强大的风压会影响到MEMS芯片中振膜的运动,同样硅麦会产生对应的噪声音频信号。这种因风压而产生的音频信号是一种无用的干扰噪声信号,所以可以定义为“风噪”。

因此,现有的硅麦克风还存在亟待改进的空间,其应对高亮光源干扰和风噪干扰的能力还有待提升,需要对当前的硅麦克风结构进行优化改进,在高亮光源和风噪的干扰下正常工作,且MEMS芯片不会被干扰导致异常。故需要提出更为合理的技术方案,解决现有技术中存在的技术问题。

发明内容

为了克服上述内容中提到的现有技术存在的缺陷,本发明提出一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风,通过对麦克风屏蔽罩进声孔处结构的优化改进,能够在高亮光源的情况下和风噪影响下正常工作,避免出现硅麦克风性能异常。

为了实现上述目的,本发明具体采用的技术方案是:

一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风,包括麦克风主体,麦克风主体上设置有屏蔽罩,屏蔽罩上设置有长条形的进声口,进声口相对的两侧边向屏蔽罩内部延伸形成引导舌板,引导舌板的头部与屏蔽罩主体形成圆滑过渡结构,两个引导舌板之间形成进声缝隙。

上述公开的硅麦克风结构,麦克风主体为现有的技术,即也包括MEMS芯片和ASIC芯片,通过将进声口处的结构进行改进,通过引导舌板形成小尺寸的进声缝隙,引导舌板的遮挡能够减弱进光量、遮挡光线直达MEMS芯片的路径,能够避免外部的高亮光源通过直射、反射或折射等影响到MEMS芯片的正常工作,而即使少量进入的光线会被ASIC表面黑胶吸收,造成的影响非常微弱,达到规避“光噪”的目的。同时,进声缝隙处结构能够减弱和遮挡风声直达MEMS芯片振膜的风压强度,达到减弱“风噪”的目的。因此,上述公开的硅麦克风结构,不仅能够极大地减少光噪和风噪,同时还不影响正常使用。

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