[发明专利]用于存储器的程序暂停和恢复的控制方法与控制器在审
| 申请号： | 202210301825.1 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN114758707A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 杜智超;王瑜;李海波;姜柯;田野 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 赵翠萍;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 程序 暂停 恢复 控制 方法 控制器 | ||
1.一种存储系统，包括：
存储器阵列；
控制器；所述控制器耦合至所述存储器阵列，并且被配置为：
控制向字线施加第一编程电压以对所述存储器阵列中的存储元件进行编程操作，所述存储元件耦合至所述字线；以及响应于接收到暂停命令，控制在施加所述第一编程电压之后向所述字线施加放电电压。
2.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，所述控制在施加所述第一编程电压之后向所述字线施加放电电压，包括：
控制在施加所述第一编程电压的脉冲下降完成后向所述字线施加放电电压。
3.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，所述控制在施加所述第一编程电压之后向所述字线施加放电电压，包括：
控制在施加所述第一编程电压的脉冲下降过程中向所述字线施加放电电压。
4.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，所述放电电压用于对所述存储元件进行放电。
5.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，所述存储系统还包括：底部选择栅极线；所述底部选择栅极线耦合到所述存储器阵列；
所述控制器进一步被配置为：响应于接收到所述暂停命令，控制向所述底部选择栅极线施加底部选择栅极线电压；
所述放电电压的脉冲与所述底部选择栅极线电压的脉冲存在重叠。
6.根据权利要求5所述的存储系统，其特征在于，所述放电电压的脉冲在所述底部选择栅极线电压的脉冲下降之前下降。
7.根据权利要求6所述的存储系统，其特征在于，所述放电电压的脉冲的下降阶段与所述底部选择栅极线电压的脉冲的下降阶段不重叠。
8.根据权利要求2所述的存储系统，其特征在于，所述存储系统还包括：顶部选择栅极线、底部选择栅极线；所述顶部选择栅极线、底部选择栅极线均耦合到所述存储器阵列；
所述控制器进一步被配置为：响应于接收到所述暂停命令，控制向所述顶部选择栅极线施加顶部选择栅极线电压，向所述底部选择栅极线施加底部选择栅极线电压；
所述底部选择栅极线电压的脉冲与所述顶部选择栅极线电压的脉冲同时上升。
9.根据权利要求8所述的存储系统，其特征在于，所述放电电压的脉冲与所述底部选择栅极线电压的脉冲同时上升。
10.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，所述第一编程电压大于所述放电电压。
11.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，所述暂停命令包括读取命令。
12.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，所述控制器进一步被配置为：
响应于由所述暂停命令引起的操作的完成，控制向所述字线施加第二编程电压。
13.根据权利要求12所述的存储系统，其特征在于，所述第二编程电压大于所述第一编程电压。
14.根据权利要求12所述的存储系统，其特征在于，所述控制器进一步被配置为：
响应于由所述暂停命令引起的操作的完成，在施加所述第二编程电压之前，控制向所述字线施加验证电压。
15.一种用于存储器阵列的操作方法，包括：
向字线施加第一编程电压以对所述存储器阵列中的存储元件进行编程操作，所述存储元件耦合到字线；以及
响应于接收到暂停命令，在施加所述第一编程电压之后向所述字线施加放电电压。
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