[发明专利]一种宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法

权利要求书

1.一种宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：由含碳基底在激光辐照下生成石墨烯，在一定电压下，石墨烯通过电热转换升温并释放热辐射，通过进一步调整激光参数使石墨烯发热体表面产生周期性褶皱，利用褶皱顶部引起的干涉实现红外发射率的调控，得到宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体。

2.根据权利要求1所述的宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：所述含碳基底为天然高分子化合物、合成高分子化合物、碳链聚合物、杂链聚合物、脂环聚合物、芳香聚合物、果蔬、动物皮毛中的一种或多种的组合。

3.根据权利要求1所述的宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：所述激光的光源为固体激光源、气体激光源、液体激光源和半导体激光源中的一种或多种的组合。

4.根据权利要求1所述的宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：所述石墨烯为单层石墨烯、多层石墨烯、单晶石墨烯、多晶石墨烯、石墨烯复合物中的一种或多种的组合。

5.根据权利要求1所述的宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：所述电热转换升温范围从20℃至1000℃。

6.根据权利要求1所述的宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：所述激光参数包含激光功率、激光扫描速度、激光波长、激光扫描线间距、激光光斑大小中的一种或多种的组合；激光功率0.1-100W，激光扫描速度1mm/s-10000mm/s，激光波长为200nm至200μm，激光扫描线间距10nm至500μm，激光光斑大小10nm至10mm。

7.根据权利要求1所述的宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：所述电压的范围为0.1-500V。

8.根据权利要求1所述的宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：所述褶皱的间距为1nm至1000μm。

9.根据权利要求1所述的宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：所述红外发射率在0.1到0.9之间可调。

10.根据权利要求1所述的宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：所述红外范围内的可控波长为0.75μm至1500μm。

11.根据权利要求10所述的宽波段热辐射发射率可调的石墨烯发热体制备方法，其特征在于：所述红外范围内的可控波长为0.75μm至20μm。