[发明专利]一种低介电导热聚酰亚胺薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种低介电导热聚酰亚胺薄膜，其特征在于：以重量份为单位，包括以下原料：

二酐单体10-15份、二胺单体10-15份、溶剂B 100-150份、导热填料0.1-0.2份、偶联剂0.05-0.1份、助剂0.05-0.1份、溶剂A 100-150份。

2.根据权利要求1所述的一种低介电导热聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述二酐单体包括均苯四甲酸二酐、二苯酮四酸二酐、4,4'-氧双邻苯二甲酸酐、3,3’,4,4’-联苯四甲酸二酐、双酚A二酐中的任一种或任几种。

3.根据权利要求1所述的一种低介电导热聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述二胺单体包括4,4’-二氨基二苯醚、3,4-二氨基二苯醚、4,4’-二氨基二苯甲烷、4,4’-二氨基二苯硫醚、1,3-间苯二胺、1,4-对苯二胺、4,4’-联苯二胺、1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯、4,4’-二(4-氨基苯氧基)二苯甲酮中的任一种或任几种。

4.根据权利要求1所述的一种低介电导热聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述溶剂B包括极性溶剂，所述极性溶剂为N,N-二甲基乙酰胺N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺中的的任一种或任几种。

5.根据权利要求1所述的一种低介电导热聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述溶剂A包括乙醇、甲醇、异丙醇中的任一种或任几种。

6.根据权利要求1所述的一种低介电导热聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述偶联剂包括氨基硅烷偶联剂；具体的，所述氨基硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷中的任一种或任几种。

7.根据权利要求1所述的一种低介电导热聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述导热填料包括氧化铝、氧化镁、氧化锌、氮化铝、氮化硼、碳纳米管、石墨烯中的任一种或任几种。

8.根据权利要求7所述的一种低介电导热聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述氧化铝为亚微米级的球形氧化铝。

9.根据权利要求1所述的一种低介电导热聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述助剂为二氧化硅、可熔性聚四氟乙烯(PFA)树脂粉末中的任一种或两种。

10.一种权利要求1-9任一项所述的低介电导热聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)低介电导热复合粉体的制备

将导热填料在溶剂A中分散均匀；在50-60℃下，加入偶联剂，进行搅拌，再加入助剂，保温搅拌6-10h；降至室温，进行干燥，再进行等离子球磨处理，得到低介电导热复合粉体，待用；

2)聚酰胺酸的合成

将二胺单体溶解在溶剂B后，加入步骤1)得到的低介电导热复合粉体，搅拌分散均匀，分批次加入二酐单体进行反应，待溶液开始变黏稠至爬杆后降低搅拌速度继续搅拌一段时间，得到聚酰胺酸溶液；

3)过滤与排气泡

将上述步骤2)得到的聚酰胺酸溶液进行过滤和真空排气处理；

4)预成膜与亚胺化成膜

将过滤和抽真空处理的聚酰胺酸溶液均匀的刮涂在干净的玻璃板或者钢带片上，在105-120℃温度干燥，得到具有一定自撑性的薄膜；将薄膜进行亚胺化处理，亚胺化结束后得到低介电导热聚酰亚胺薄膜。