[发明专利]固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片

说明书

本发明公开了固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片，涉及固态硬盘技术领域。所述方法包括：在每次对闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，擦除参数包括擦除电流、擦除时间、Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；根据上一次擦除对应的擦除参数确定本次擦除Block的擦除电压，擦除电压大于预设电压阈值；基于擦除电压对Block进行本次擦除。本发明可在Block的损耗程度较大时采用较小的擦除电压，降低了擦除对Block造成的损耗，从而提高了闪存阵列的寿命。

技术领域

本发明涉及固态硬盘技术领域，尤其涉及固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片。

背景技术

SSD（固态硬盘）由主控芯片和闪存介质组成，SSD一般采用NAND Flash（NAND型闪存存储器芯片）作为主要的闪存介质。NAND Flash的基本操作包括Read（读）、Program（写）、Erase（擦除），Read和Program均以page（页）为单位，而Erase则以Block（块）为单位，一般一个Block里包含多个Page。对NAND Flash中的数据进行更新、改写时，新数据无法直接program至旧数据所在的Block地址空间中，只能把新数据先写入其他空闲的Block地址空间，再对旧数据所在的Block地址空间执行erase操作，对Block进行Erase之后方可用于后续的数据编程写入。

定义1次Program和Erase操作为1个P/E cycle（循环），NAND Flash在其寿命期限内可以承受的总P/E cycle次数称为endurance（耐久性）。Block的损耗会随着cycle次数的增加而加深，Block会逐渐老化，NAND Flash寿命逐渐降低。在SSD设计中，希望降低Erase对固态硬盘闪存阵列造成的损耗，从而降低Erase对存储器寿命的影响，公开专利CN105788637A、CN108154899A、CN110838329A、CN113488096A、CN103632725A虽然均提供了对闪存阵列进行擦除的方法，但均未给出降低擦除操作对固态硬盘闪存阵列造成的损耗的解决方案。

发明内容

本发明通过提供固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片，解决了如何降低擦除操作对固态硬盘闪存阵列造成的损耗的技术问题。

一方面，本发明实施例提供如下技术方案：

一种固态硬盘闪存阵列的擦除方法，包括：

在每次对所述闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，所述擦除参数包括擦除电流、擦除时间、所述Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；

根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压，所述擦除电压大于预设电压阈值；

基于所述擦除电压对所述Block进行本次擦除。

优选的，所述根据上一次擦除对应的所述擦除参数确定本次擦除所述Block的擦除电压，包括：

获取所述擦除参数对应的所述闪存阵列的参数标定最大值；

根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值，确定本次擦除所述Block的所述擦除电压。

优选的，所述擦除参数包括第一擦除参数和第二擦除参数；

所述根据上一次擦除对应的所述擦除参数、所述擦除参数对应的所述参数标定最大值，确定本次擦除所述Block的所述擦除电压，包括：

若第一擦除参数低于第一擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，且第二擦除参数低于第二擦除参数对应的所述参数标定最大值的一半，则将所述擦除电压确定为第一电压；