[发明专利]一种离子阱及量子计算装置在审
| 申请号： | 202210288289.6 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114512259A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 姚麟;蔡明磊 | 申请（专利权）人： | 华翊博奥(北京)量子科技有限公司 |
| 主分类号： | G21K1/087 | 分类号： | G21K1/087;G06N10/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陶丽;李丹 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 量子 计算 装置 | ||
1.一种离子阱，包括：安装于预设支架上的直流DC电极；
所述DC电极的前端设置有第一切割线，第一切割线与DC电极的靠近离子阱中心的边线所形成的角度为80度到90度；
其中，所述第一切割线为用于将所述DC电极切割为电极分段的切割线中位于所述DC电极的前端的切割线；所述DC电极为刀片电极，所述前端为刀片电极横截面为梯形的部分。
2.根据权利要求1所述的离子阱，其特征在于，相邻的所述第一切割线之间的距离大于30微米。
3.根据权利要求1所述的离子阱，其特征在于，所述切割线中的第二切割线为弧形；
其中，所述第二切割线为位于衔接区域的切割线；所述衔接区域为所述DC电极的前端和所述DC电极除前端以外的其他部分的连接过渡区域。
4.根据权利要求1所述的离子阱，其特征在于，所述电极分段的个数大于或等于5。
5.根据权利要求1～4任一项所述的离子阱，其特征在于，所述离子阱还包括：安装于所述预设支架上的射频RF电极；
所述RF电极的前端设置有第三切割线，第三切割线与RF电极的靠近离子阱中心的边线所形成的角度为80度到90度；
其中，所述RF电极为刀片电极，所述第三切割线为用于对所述RF电极的前端进行切割的切割线。
6.根据权利要求5所述的离子阱，其特征在于，所述第三切割线与所述第一切割线的数量相同。
7.根据权利要求6所述的离子阱，其特征在于，所述第三切割线与第一切割线在离子阱的静态势阱方向上分布位置相同。
8.一种量子计算装置，包括如权利要求1～7任一项所述的离子阱。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华翊博奥(北京)量子科技有限公司，未经华翊博奥(北京)量子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210288289.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
