[发明专利]一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯薄膜介电性能的方法

权利要求书

1.一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能的方法，其特征在于，包括：

1)水热法合成纳米尺寸的钽铌酸钾(KTN)粉末，作为纳米填料；

2)对KTN表面进行改性，取1.5克KTN粉末溶解在10毫升DMF溶液中得到混合物1，向混合物1缓慢滴入一定量的酰氯类小分子作为改性剂；

3)加入0.15克无水碳酸钾以除去亲核反应生成的氯化氢，室温反应12-24小时；

4)所得产物分别用DMF和乙醇洗涤两次，在60摄氏度下干燥12小时，得到表面含有不同官能团的改性后的KTN粉末；

5)将改性后的KTN粉末加入DMF溶剂中得到混合物2；

6)然后将PVDF粉末分多次加入混合物2，在搅拌2小时后得到胶体1，胶体1放置2个小时进行消泡后，用刮膜机在干净的玻璃板上进行涂膜，然后将薄膜在100摄氏度的温度下加热12小时，制备成复合薄膜。

2.一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能的方法，其特征在于：权利要求1中步骤1)所述的KTN优选组分为KTa_0.5Nb_0.5O₃。

3.一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能的方法，其特征在于：权利要求1中步骤2)所述的酰氯类小分子优选为甲基丙烯酰氯，2-丙烯-1-磺酰氯或苄磺酰氯；当选用甲基丙烯酰氯作为改性剂时，KTN与改性剂的质量比为10:1，反应时间为12小时；当选用2-丙烯-1-磺酰氯作为改性剂时，KTN与改性剂的质量比为20:1，反应时间为12小时；当选用苄磺酰氯作为改性剂时，KTN与改性剂的质量比为20:1，反应时间为24小时。