[发明专利]一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构

权利要求书

1.一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构，其特征在于，包括三级宽带匹配变压器、两级数控可变增益放大器，信号先经第一级变压器的初级线圈耦合到次级线圈，再经第一级有源数控可变增益放大器由第二级变压器的初级线圈耦合到次级线圈，然后经第二级有源数控可变增益放大器由第三级变压器的初级线圈耦合到次级线圈，信号输出；每级数控可变增益放大器均包括并联在一起的6个成比例加权基础单元和大增益基础放大单元，第一级有源数控可变增益放大器与第二级有源数控可变增益放大器级联。

2.根据权利要求1所述的一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构，其特征在于：6个成比例加权基础单元的增益比例分别为1:2:4:8:16:32，大增益基础放大单元的增益比例为64。

3.根据权利要求1所述的一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构，其特征在于：第一级有源数控可变增益放大器的控制位为6位，每个基础单元对应一个控制位，对应实现1:2:4:8:16:32的增益变化比例，第二级有源数控可变增益放大器的控制位为6位，将6位控制位两两组合，形成3位控制位，对应实现3:12:48的增益变化比例，两级有源数控可变增益放大器级联共9位控制位，对应实现1:2:3:4:8:12:16:32:48的增益变化比例。

4.根据权利要求1所述的一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构，其特征在于：各所述基础单元的结构相同，面积比为1:2:4:8:16:32。

5.根据权利要求3所述的一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构，其特征在于：各所述基础单元包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6，其中，控制MOS管M1和M2偏置的开关设置在其栅极，MOS管M1的漏极连接MOS管M3和MOS管M4的源极，MOS管M2漏极连接MOS管M5和MOS管M6的源极，MOS管M1和MOS管M2的源极接地，MOS管M3和MOS管M4的栅极分别输入射频的差分信号RF1+和RF1-，MOS管M5和MOS管M6的栅极分别输入射频的差分信号RF1-和RF1+，MOS管M3的漏极和MOS管M5的漏极相连输出至第二级变压器初级线圈的一端，MOS管M4的漏极和MOS管M6的漏极相连输出至第二级变压器初级线圈的另一端。

6.根据权利要求5所述的一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构，其特征在于：所述大增益基础放大单元包括MOS管M7、M8、M9，其中MOS管M7的栅极接偏置电压，漏极连接MOS管M8和MOS管M9的源极，MOS管M8和MOS管M9的栅极分别为射频输入信号RF1+和RF-，MOS管M8和MOS管M9的漏极分别连接至第二级变压器初级线圈的一端和另一端。