[发明专利]α-GeTe二维材料及其PVD制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210278701.6 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN114725187A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 段曦东;李威;吴瑞霞 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/78;C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 盛武生 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gete 二维 材料 及其 pvd 制备 方法 应用 | ||
1.一种α-GeTe二维材料的PVD制备方法，其特征在于：将GeTe原料在600-700℃下挥发；将挥发的原料在含氢气载气、340-380℃的沉积温度下在无悬挂键的基底表面物理气相沉积，制得α-GeTe二维材料；
所述的含氢气载气为氢气和保护性气氛的混合气，其中，氢气的流量为1-10sccm，保护性气氛的流量为70～90sccm。
2.如权利要求1所述的α-GeTe二维材料的PVD制备方法，其特征在于：GeTe原料的挥发温度为620～675℃，进一步优选为620～630℃；
优选地，所述的GeTe原料的纯度大于或等于99％，进一步优选为大于或等于99.9％。
3.如权利要求1所述的α-GeTe二维材料的PVD制备方法，其特征在于：所述的含氢气载气中，所述的保护性气氛为氮气、惰性气体中的至少一种。
4.如权利要求1所述的α-GeTe二维材料的PVD制备方法，其特征在于：含氢气载气中，氢气的流量为2～8sccm，优选为4～8sccm；
保护性气氛的流量优选为75～85sccm。
5.如权利要求1所述的α-GeTe二维材料的PVD制备方法，其特征在于：加热挥发区域的温度为620～675℃，进一步优选为620～630℃。
6.如权利要求1所述的α-GeTe二维材料的PVD制备方法，其特征在于：物理气相沉积区域温度340～360℃，进一步优选为340～350℃；
优选地，物理气相沉积的时间为5～15min。
7.如权利要求1所述的α-GeTe二维材料的PVD制备方法，其特征在于：无悬挂键的云母或者二维材料基底；
所述的二维材料基底为沉积有MX2二维材料的基底；
优选地，所述的M为过渡金属元素，进一步优选为Mo、W中的至少一种；
优选地，所述的X为S、Se中的至少一种；
优选地，所述的无悬挂键的基底具有平整表面；
优选地，所述的二维材料基底中，二维材料的平面尺寸大于或等于50um；优选大于或等于200um。
8.一种权利要求1～7任一项所述制备方法制得的α-GeTe二维材料。
9.一种权利要求1～7任一项所述制备方法制得的α-GeTe二维材料的应用，其特征在于，将其用于制备微纳电子器件；
优选地，所述的微纳电子器件为场效应晶体管；
优选地，场效应晶体管的制备步骤为：
在无悬挂键的基底的α-GeTe二维纳米片表面上用电子束曝光标记样品，随后再在其表面沉积金属，得到场效应晶体管；
优选地，通过真空镀膜机在α-GeTe纳米片表面上沉积金属；
优选地，所述的金属为Cr和Au。
10.一种场效应晶体管器件，其特征在于，包含权利要求1～7任一项所述制备方法制得的α-GeTe二维材料，或由所述的α-GeTe二维材料制备得到。
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