[发明专利]体声波谐振装置及其形成方法

权利要求书

1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：

第一层，所述第一层包括第一侧及与所述第一侧垂直方向上相对的第二侧，所述第一层包括压电部以及位于所述压电部水平方向外侧的非压电部，所述非压电部的材料包括非压电性材料；

第一电极层，位于所述第一侧，与所述压电部重合及与部分所述非压电部重合；

第二层，位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第二层与所述第一层之间，且嵌入所述第二层；

第二电极层，位于所述第二侧，与所述压电部重合及与部分所述非压电部重合；以及

空腔，位于所述第一侧，所述空腔位于所述第二层与所述第一层之间，嵌入所述第二层，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内。

2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二层包括：基底及中间层，所述中间层位于所述基底与所述第一层之间，所述第一电极层嵌入所述中间层，所述空腔嵌入所述中间层。

3.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述中间层的材料包括：聚合物、绝缘电介质和多晶硅中一种或多种。

4.如权利要求3所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述聚合物包括：苯并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶和聚酰亚胺中的一种或多种。

5.如权利要求3所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅和氧化钛中的一种或多种。

6.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二层还包括：多晶层，所述多晶层位于所述基底和所述中间层之间。

7.如权利要求6所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述多晶层的材料包括：多晶材料。

8.如权利要求7所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述多晶材料包括：多晶硅、多晶氮化硅和多晶碳化硅中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述压电部的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅和铌镁酸铅—钛酸铅中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述非压电部的材料包括：氮氧化硅、氮化硅和氧化铝中的一种或多种。

11.一种体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：

形成第一层，所述第一层包括第一侧及与所述第一侧垂直方向上相对的第二侧，所述第一层包括压电部以及位于所述压电部水平方向外侧的非压电部，所述非压电部的材料包括非压电性材料；

提供过渡衬底；基于所述过渡衬底形成所述第一层，所述过渡衬底位于所述第二侧；

所述第一层的形成方法包括：在所述过渡衬底上形成压电材料层；对所述压电材料层进行图形化处理，形成所述压电部；在所述过渡衬底上形成非压电材料层，所述非压电材料层覆盖所述压电部，包括凸起，所述凸起对应所述压电部；对所述凸起进行平坦化处理，直至暴露出所述压电部的表面为止，形成所述非压电部，由所述压电部及位于所述压电部外侧的非压电部构成所述第一层；

形成第一电极层，位于所述第一侧，与所述压电部重合及与部分所述非压电部重合；

形成第二层，位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第二层与所述第一层之间，且嵌入所述第二层；

形成第二电极层，位于所述第二侧，与所述压电部重合及与部分所述非压电部重合；以及

形成空腔，位于所述第一侧，所述空腔位于所述第二层与所述第一层之间，嵌入所述第二层，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内。