[发明专利]检测光学成像模块的对准损耗在审
申请号: | 202210269698.1 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN114659755A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | A·亚伯拉罕;R·D·帕杰拉;R·雷米兹 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | G01M11/02 | 分类号: | G01M11/02;H04N5/225;H04N17/00 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 宿小猛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 光学 成像 模块 对准 损耗 | ||
1.一种光电设备,包括:
半导体基板,所述半导体基板具有平坦表面;
发射器,所述发射器形成在所述基板上并且被配置为发射光束远离所述平坦表面;
反射层,所述反射层相邻于所述发射器形成在所述平坦表面上;和
透明层,所述透明层形成在所述平坦表面上方并且具有弯曲外表面,所述弯曲外表面包括垂直地定位在所述发射器上方并且被配置为朝向所述反射层内部反射所发射的光束的第一区段,以及定位成和被配置为准直和透射从所述反射层反射的光束的第二区段。
2.根据权利要求1所述的光电设备,其中所述发射器包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)。
3.根据权利要求1所述的光电设备,其中所述反射层包含金属。
4.根据权利要求3所述的光电设备,其中所述金属包括金。
5.根据权利要求1所述的光电设备,其中所述反射层包括至少一个电介质层。
6.根据权利要求1所述的光电设备,其中所述透明层包含砷化镓(GaAs)。
7.根据权利要求1所述的光电设备,其中所述第一区段包括平坦表面。
8.根据权利要求1所述的光电设备,其中所述第一区段包括弯曲表面。
9.根据权利要求1所述的光电设备,其中所述第一区段被配置为将所发射的光束朝向所述反射层内部反射至少两次。
10.根据权利要求1所述的光电设备,并且包括反射涂层,所述反射涂层沉积在所述第一区段上。
11.根据权利要求1所述的光电设备,其中所述第一区段被配置为通过全内反射(TIR)将所发射的光束朝向所述反射层内部反射。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的光电设备,其中所述第一区段被配置为反射所发射的光束,使得所反射的光束沿第一轴线照射在所述第二区段上,并且其中所述第二区段被配置为沿不平行于所述第一轴线的第二轴线准直和透射所述光束。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的光电设备,其中所述第二区段包括球形表面。
14.根据权利要求1至11中任一项所述的光电设备,其中所述第二区段包括菲涅耳透镜。
15.根据权利要求1至11中任一项所述的光电设备,其中所述第二区段包括衍射光学元件(DOE)。
16.一种用于制造光电设备的方法,包括:
在具有平坦表面的半导体基板上形成发射器;
将反射层相邻于所述发射器沉积在所述平坦表面上;以及
在所述平面表面上方形成透明层,所述透明层具有弯曲外表面,所述弯曲外表面包括垂直地定位在所述发射器上方并且被配置为朝向所述反射层内部反射所发射的光束的第一区段,以及定位成和被配置为准直和透射从所述反射层反射的光束的第二区段。
17.根据权利要求16所述的方法,并且包括将反射涂层沉积在所述透明层的所述第一区段上方。
18.根据权利要求16所述的方法,其中形成所述透明层包括使用约束蚀刻剂层技术稍后蚀刻所述透明层以限定所述弯曲外表面。
19.根据权利要求18所述的方法,其中蚀刻所述透明层包括模制聚合物以复制所述弯曲外表面的形状,以及使用所述约束蚀刻剂层技术将所述形状转移到所述透明层。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的方法,其中所述透明层包含砷化镓(GaAs)。
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