[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

巴伦，包括第一不平衡端子、第二不平衡端子、第一平衡端子和第二平衡端子；

被接地的真空容器；

第一电极，被电连接至所述第一平衡端子；

第二电极，被电连接至所述第二平衡端子；

阻抗匹配电路；

第一电源，经由所述阻抗匹配电路连接至所述巴伦，并被配置为经由所述阻抗匹配电路和所述巴伦向所述第一电极供给高频；

低通滤波器；以及

第二电源，被配置为经由所述低通滤波器向所述第一电极供给电压，

其中，当Rp表示从所述第一平衡端子和所述第二平衡端子的侧来看所述第一电极和所述第二电极的侧时的所述第一平衡端子与所述第二平衡端子之间的电阻成分，并且X表示所述第一不平衡端子与所述第一平衡端子之间的电感时，满足1.5≤X/Rp≤5000。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极保持标靶，并且所述第二电极保持基板。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述巴伦包括被配置为连接所述第一不平衡端子与所述第一平衡端子的第一线圈以及被配置为连接所述第二不平衡端子与所述第二平衡端子的第二线圈。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述巴伦还包括都被连接在所述第一平衡端子与所述第二平衡端子之间的第三线圈和第四线圈，并且所述第三线圈和所述第四线圈被配置为将所述第三线圈与所述第四线圈的连接节点的电压设置为所述第一平衡端子的电压与所述第二平衡端子的电压之间的中点。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述连接节点被连接至所述真空容器。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于

所述第二电源包括交流电源，以及

从所述交流电源供给至所述第一电极的电压的频率比所述频率低。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极经由绝缘体通过所述真空容器来支撑。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，绝缘体被布置在所述第二电极与所述真空容器之间。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括被配置为垂直移动所述第二电极的机构和被配置为使所述第二电极旋转的机构中的至少一个。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极保持基板，并且所述等离子体处理装置被配置作为蚀刻装置。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极保持标靶，并且所述第二电极被布置在所述第一电极的周围。

12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于

提供多个高频供给部，并且所述多个高频供给部中的每一个包括巴伦、第一电极和第二电极，以及

所述多个高频供给部中的每一个的第一电极保持标靶，并且在所述多个高频供给部中的每一个中，第二电极被布置在第一电极的周围。

13.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极经由绝缘体通过所述真空容器来支撑。

14.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

第三电极，被配置为保持基板；以及

第二高频电源，被配置为经由第二阻抗匹配电路向所述第三电极供给高频。