[发明专利]发光结构

权利要求书

1.一种发光结构，其包括：

基板；

子像素堆栈，其位于所述基板的表面上方，所述子像素堆栈包括：

位于第一传输层与第二传输层之间的发射层；

第一电极层，其耦合到所述第一传输层；以及

第二电极层，其耦合到所述第二传输层；

堤，其包围所述子像素堆栈并在所述子像素堆栈上方形成内部空间；第一材料，其填充所述内部空间并具有第一折射率；以及

第二材料，其位于所述第一材料上方并具有基本上高于所述第一折射率的第二折射率，

其中，所述第二电极层具有与所述第一折射率基本上匹配的第三折射率。

2.如权利要求1所述的发光结构，其特征在于，

所述第二电极层包括铟锡氧化物ITO纳米颗粒和银纳米线中的至少一种。

3.如权利要求1所述的发光结构，其特征在于，

所述第二材料包括高折射率透明材料，所述高折射率透明材料包括氧化铟锡ITO和氧化铟锌IZO中的至少一种。

4.如权利要求1所述的发光结构，其特征在于：

所述子像素堆栈沿着与所述子像素堆栈的顶面基本垂直的在轴方向，向所述第一材料发射第一发射峰；

所述子像素堆栈沿着与所述在轴方向成一角度的离轴方向，向所述第一材料发射第二发射峰；以及

沿着所述离轴方向的所述第二发射峰被所述第一材料与所述第二材料之间的界面反射并且被引导到所述堤的倾斜侧壁上。

5.如权利要求4所述的发光结构，其特征在于，

所述第二发射峰被所述堤的所述倾斜侧壁反射，并且基本上无全内反射地沿所述在轴方向穿过所述界面发射。

6.如权利要求4所述的发光结构，其特征在于，

所述堤的所述倾斜侧壁与所述子像素堆栈的所述顶面之间的角度是所述第一发射峰的所述在轴方向与所述第二发射峰的所述离轴方向之间的角度的一半。

7.如权利要求1所述的发光结构，其特征在于，

所述第二材料覆盖所述第一材料的整个顶面。

8.如权利要求1所述的发光结构，进一步包括：

位于所述第一材料与所述第二材料之间的气隙。

9.如权利要求1所述的发光结构，其特征在于：

所述发射层包括量子点发射材料，

所述第一传输层包括空穴传输层，

所述第二传输层包括电子传输层，

所述第一电极层是阳极层，

所述阳极层具有用于反射从所述发射层发射的光的金属反射器，以及

所述第二电极层是具有非金属且基本上透明的材料的阴极层。

10.如权利要求1所述的发光结构，其特征在于：

所述发射层包括量子点发射材料，

所述第一传输层包括电子传输层，

所述第二传输层包括空穴传输层，

所述第一电极层是阴极层，

所述阴极层具有用于反射从所述发射层发射的光的金属反射器，以及

所述第二电极层是具有非金属且基本上透明的材料的阳极层。

11.一种发光结构，其包括：

基板；

在所述基板的表面上方发出不同颜色的多个子像素堆栈，所述多个子像素堆栈中的至少一个包括：

位于第一传输层与第二传输层之间的发射层；

第一电极层，其耦合到所述第一传输层；以及

第二电极层，其耦合到所述第二传输层；

堤，其包围所述多个子像素堆栈中的每一个，并在所述多个子像素堆栈的每个子像素堆栈上方形成内部空间；

第一材料，其填充所述内部空间并具有第一折射率；以及

第二材料，其位于所述第一材料上方并具有基本上高于所述第一折射率的第二折射率，

其中，所述第二电极层具有与所述第一折射率基本上匹配的第三折射率。