[发明专利]OLED阳极、OLED基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202210266623.8 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN115132934A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 全威 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 阳极 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
衬底基板;
多个像素单元,阵列设置于所述衬底基板上;
多个发光器件,每个所述像素单元中设有一个所述发光器件;所述发光器件包括OLED阳极、OLED发光层和OLED阴极;
其中,所述OLED阳极包括至少一层第一电极层,至少一层第二电极层和反射电极;所述第二电极层设置于所述第一电极层背离所述衬底基板的表面;所述反射电极设置于所述至少一层第一电极层面向所述OLED发光层的表面,或者,所述反射电极设置于所述至少一层第二电极层面向所述OLED发光层的表面;
每个所述OLED阳极背离所述衬底基板的表面形成有所述OLED发光层;所述OLED阴极设置于所述OLED发光层远离所述OLED阳极的一侧;
所述多个像素单元包括至少两种颜色的所述像素单元;不同颜色的所述像素单元之间,各所述像素单元中的所述OLED发光层靠近所述衬底基板的表面至对应所述OLED阴极的距离呈递增或递减。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
多个像素单元包括至少一个R像素单元、至少一个G像素单元以及至少一个B像素单元;其中,
所述R像素单元中的OLED发光层靠近所述衬底基板的表面至对应OLED阴极的距离,大于所述G像素单元中的OLED发光层靠近所述衬底基板的表面至对应OLED阴极的距离;
所述G像素单元中的OLED发光层靠近所述衬底基板的表面至对应OLED阴极的距离,大于所述B像素单元中的OLED发光层靠近所述衬底基板的表面至对应OLED阴极的距离。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,
所述第二电极层为透光电极层;所述透光电极层包括ITO电极层;
所述第一电极层包括金属电极层或ITO电极层;
所述反射电极包括银电极、铝电极或钼电极。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述OLED发光层为彩色OLED发光层;
所述OLED发光层背离所述OLED阳极的一侧设有彩膜。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述OLED发光层出射光的增益设置满足公式:
其中,φ1和φ2分别为对应OLED发光器件中OLED阳极和OLED阴极的界面反射相移;λ为OLED发光层出射光的波长;n为OLED发光层出射光所穿透膜层的折射率;θ为OLED发光层出光方向与镜面法线的夹角;L为OLED发光器件的反射腔长,所述反射腔长为所述OLED阴极和所述反射电极之间的距离;m是整数。
6.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板的一侧形成OLED阳极;
在所述OLED阳极背离所述衬底基板的表面形成OLED发光层;
在所述OLED发光层背离所述衬底基板的表面形成OLED阴极;
其中,所述衬底基板上阵列设置有多个像素单元,所述多个像素单元包括至少一个R像素单元、至少一个G像素单元以及至少一个B像素单元,且不同颜色的所述像素单元之间,各所述像素单元中的所述OLED阳极背离所述衬底基板的表面至对应所述OLED阴极的距离呈递增或递减。
7.根据权利要求6所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述在所述衬底基板的一侧形成OLED阳极的步骤,包括:
在所述衬底基板的一侧形成至少一层第一电极层;
在所述至少一层第一电极层背离所述衬底基板的表面形成反射电极;在所述反射电极背离所述第一电极层的表面形成至少一层第二电极层;
所述OLED发光层在所述衬底基板的正投影覆盖所述反射电极在所述衬底基板的正投影;
其中,所述R像素单元、所述G像素单元以及所述B像素单元中对应形成在所述衬底基板一侧的第一电极层的层数不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择