[发明专利]一种光控-晶控结合的膜系设计方法在审
| 申请号： | 202210262111.4 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114740559A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞奇;卢成 | 申请（专利权）人： | 成都国泰真空设备有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;C23C14/54;C23C14/08 |
| 代理公司： | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人： | 贾波 |
| 地址： | 610000 四川省成都市温江*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光控 结合 设计 方法 | ||
1.一种光控-晶控结合的膜系设计方法，其特征在于：包括下述步骤：
1）通过膜系设计软件设计一个1064的窄带通；
2）将步骤1）所得，在同一个膜系的基础上叠加一个短波通膜系，形成主膜膜系；
3）将步骤2）所得的主膜膜系，再设计一个长波通膜系作为副膜膜系。
2.根据权利要求1所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，其特征在于：所述1064的窄带通膜系为：
HLHLHL 4H LHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHL 4H LHLHL0.7H0.7L。
3. 根据权利要求1所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，其特征在于：所述步骤2）中主膜膜系为：
HLHLHL 4H LHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHL 4H LHLHL0.7H0.7L
1.28(0.5LH0.5L)^13。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，其特征在于：所述步骤3）中长波通膜系为：
(0.5HL0.5H)^11。
5.根据权利要求4所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，其特征在于：在对所述主膜进行镀制时，工艺参数为：温度300℃，工件盘转速50转/分，Ta2O5充氧150sccm，全程离子源辅助，离子源束流为1200mA。
6.根据权利要求1或2或3所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，其特征在于：在对所述主膜进行镀制时，工艺参数为：温度300℃，工件盘转速50转/分，Ta2O5充氧150sccm，全程离子源辅助，离子源束流为1200mA。
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