[发明专利]一种UVB芯片的外延结构及其应用

权利要求书

1.一种UVB芯片的外延结构，其特征在于，包括由下到上依次层叠设置的衬底、AlInGaN基础层、非掺杂AlInGaN层、N型AlInGaN层、AlInGaN电子缓冲层、AlInGaN量子发光层、AlInGaN电子阻挡层、P型AlInGaN传输层和P型接触层；

所述AlInGaN电子缓冲层为AlInGaN超晶格层，所述AlInGaN超晶格层包括由下到上依次交替层叠设置的Al_x3In_y3Ga_1-x3-y3N层和Al_x4In_y4Ga_1-x4-y4N层；

所述AlInGaN量子发光层包括由下到上依次交替层叠设置的Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N量子垒层和Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N量子阱层；

其中，x3x1x2x4；y1、y2、y3和y4独立的≤0.1；

所述Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N量子阱层中Al的含量均小于所述AlInGaN基础层、非掺杂AlInGaN层、N型AlInGaN层和AlInGaN电子阻挡层中Al的含量；

所述x1的取值范围为：x1≥0.3；

所述x2的取值范围为：0.1≤x2≤0.3。

2.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N量子垒层和Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N量子阱层交替层叠设置的周期数为1~50。

3.如权利要求2所述的外延结构，其特征在于，每层所述Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N量子垒层的厚度为2~20nm；

每层所述Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N量子阱层的厚度为0.5~8mm。

4.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述Al_x3In_y3Ga_1-x3-y3N层和Al_x4In_y4Ga_1-x4-y4N层交替层叠设置的周期数为1~100。

5.如权利要求1或4所述的外延结构，其特征在于，每层所述Al_x3In_y3Ga_1-x3-y3N层和Al_x4In_y4Ga_1-x4-y4N层的厚度独立的为0.1~5nm。

6.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述AlInGaN基础层的材料为Al_x5In_y5Ga_1-x5-y5N；x2≤x5；

其中，x5的取值范围为：x5≥0.8；y5的取值范围为：y50.1。

7.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述非掺杂AlInGaN层的材料为Al_x6In_y6Ga_1-x6-y6N；x2≤x6；

其中x6的取值范围为：x60.5；y6的取值范围为：y60.1。