[发明专利]W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线

权利要求书

1.一种W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线，其特征在于，包括PCB板以及设置在PCB板上的馈电波导，所述PCB板的上层为辐射缝隙层，所述辐射缝隙层为金属覆层，并在金属覆层蚀刻出若干个呈矩阵形式排布的辐射缝隙作为阵列天线的辐射单元，沿辐射缝隙延展方向作为行，在每行辐射缝隙两侧设置贯穿PCB板的金属通孔，构成SIW；PCB板的中间层为介质基板；PCB板的下层为耦合缝隙层，所述耦合缝隙层为金属覆层，并在金属覆层蚀刻出多个耦合缝隙将底部馈电波导的能量耦合进每行SIW。

2.根据权利要求1所述的W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线，其特征在于，所述馈电波导以耦合缝隙层作为其上波导壁。

3.根据权利要求1所述的W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线，其特征在于，所述馈电波导为金属腔体结构。

4.根据权利要求1所述的W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线，其特征在于，每行SIW的宽度相等，均等于耦合波导的波导波长。

5.根据权利要求1所述的W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线，其特征在于，天线阵面划分为4个关于阵面几何中心位置中心对称的区域，由馈电波导为每个区域进行馈电。

6.根据权利要求1所述的W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线，其特征在于，所述馈电波导包括波导弯角、多个一分二波导功分器，从波导弯角输入的能量经多个一分二波导功分器分路为4个末级并联波导，4个末级并联波导通过耦合缝隙层的耦合缝隙耦合到每个区域的每行SIW中。

7.根据权利要求6所述的W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线，其特征在于，各行SIW所获得的功率比等于各行SIW上辐射缝隙的数量比，SIW获得的功率大小由耦合缝隙沿其所在波导的纵向中轴线向外的旋转角度决定，所需获得的功率比越大，旋转角度越大，耦合缝隙的长度为在耦合缝隙旋转角度下的谐振长度。

8.根据权利要求6所述的W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线，其特征在于，每条耦合缝隙两侧分配的能量比等于左右两边辐射缝隙的数量比，通过在耦合缝隙的一侧加载偏置金属通孔的方式，实现耦合缝隙左右两边的能量的不等分配，功分比例的大小由偏置金属通孔的偏置距离决定，偏置距离越大，实现的功分比越大。

9.根据权利要求6所述的W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线，其特征在于，每个一分二波导功分器中间加载有功分隔片。

10.根据权利要求6所述的W波段大规模圆口径高效率SIW缝隙阵列天线，其特征在于，各区域最后一级波导分支之间错开一个波导波长的距离避免重叠并保证馈电相位相同。