[发明专利]一种可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET及其制备方法

权利要求书

1.一种可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET，其包括N-漂移区、P井、N+区和栅极层，所述P井内嵌于N-漂移区，N+区内嵌于P井内，且N-漂移区、P井和N+区的一侧共同形成一平面，在平面上堆叠栅极层，栅极层下P井靠近上表面处设有沟道区；所述栅极层包括依次堆叠的栅氧和多晶硅栅极，其特征在于，还包括：

设于N+区两侧边缘的低注入区，所述低注入区位于P井与N+区之间的交界处且低注入区所在区域不超过所述栅极层在N+区上方的覆盖区域；

其中，所述低注入区的掺杂浓度低于N+区的掺杂浓度，且低注入剂量区的剂量浓度介于P井区的剂量浓度与N+区的剂量浓度之间。

2.根据权利要求1所述的可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET，其特征在于，所述N+区两侧的低注入区呈对称布置。

3.根据权利要求1所述的可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET，其特征在于，所述N+区采用氮或磷离子注入。

4.一种可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，该制备方法是基于平面型碳化硅MOSFET制备工序中完成P井注入后，其包括：

S1：在P井和N-漂移区共同形成的表面上沉积注入掩膜，通过光刻图形化，在注入掩膜上形成注入窗口；

S2：通过注入窗口进行N-注入并形成N-注入区，其中，N-注入的注入剂量浓度高于所述P井的注入剂量浓度且低于N+注入的注入剂量浓度；

S3：在注入掩膜和N-注入区的表面上沉积注入阻挡薄层；

S4：通过各向异性干刻去掉底部的注入阻挡薄层的全部或一部分厚度；

S5：通过注入窗口进行N+注入并形成N+区；

S6：去除注入掩膜，并继续常规的平面型碳化硅MOSFET制备流程。

5.根据权利要求4所述的可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，所述N-注入为采用低剂量的氮或磷离子注入。

6.根据权利要求4所述的可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，所述N-注入的注入剂量浓度取值范围为：5e18/cm³～2e19/cm³。

7.根据权利要求4所述的可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，所述注入阻挡薄层的介质为二氧化硅或多晶硅。

8.根据权利要求7所述的可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，所述注入阻挡薄层的厚度为0.1～0.5微米。