[发明专利]一种对称叉指结构的2DEG紫外探测器及制备方法有效
| 申请号： | 202210244562.5 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114678439B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 杨国锋;谷燕;谢峰;陆乃彦;陈国庆;张秀梅;蒋学成 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对称 结构 deg 紫外 探测器 制备 方法 | ||
1.一种对称叉指结构的2DEG紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和金属电极层；
所述GaN沟道层和所述AlGaN势垒层形成二维电子气2DEG；
所述AlGaN势垒层为：通过刻蚀AlGaN层而形成的对称叉指形状的AlGaN 2DEG电极；所述AlGaN 2DEG电极被所述GaN沟道层隔开；
所述金属电极层与所述AlGaN 2DEG电极形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述金属电极层的材料为：Ti/Al/Ti/Au复合金属。
3.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述衬底层材料为：蓝宝石。
4.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述AlGaN势垒层的Al组分为0.18。
5.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测器的制备方法为在衬底层上生长器件外延异质结构，包括：
步骤1：将未掺杂GaN沉积在AlN缓冲层上；
步骤2：GaN层生长之后，在所述GaN层上沉积未掺杂AlGaN，形成AlGaN层，同时在AlGaN/GaN异质结构界面处形成二维电子气2DEG；
步骤3：对AlGaN层进行台面隔离刻蚀，形成所述对称叉指形状的AlGaN 2DEG电极；
步骤4：沉积金属电极层。
6.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述对称叉指形状的AlGaN 2DEG电极形成的传感器阵列，电极的尺寸为宽30μm，长400μm，间距为5μm。
7.一种对称叉指结构的2DEG紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述方法通过在衬底层上生长器件外延异质结构，包括：
步骤1：将未掺杂GaN沉积在AlN缓冲层上；
步骤2：GaN层生长之后，在所述GaN层上沉积未掺杂AlGaN，形成AlGaN层，同时在AlGaN/GaN异质结构界面处形成二维电子气2DEG；
步骤3：对AlGaN层进行台面隔离刻蚀，形成对称叉指形状的AlGaN 2DEG电极；
步骤4：沉积金属电极层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底层上生长器件外延异质结构采用：金属有机化学气相沉积MOCVD方法。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3采用电感耦合等离子体与BCl3/Cl2气体进行台面刻蚀。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3中对称叉指形状的AlGaN2DEG电极形成的传感器阵列，电极的尺寸为宽30μm，长400μm，间距为5μm。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
