[发明专利]一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片

权利要求书

1.一种锗晶片的双抛工艺，其特征在于，用于同时对锗晶片进行双面抛光，其中，包括：

第一粗抛工序，采用第一粗抛光液和第一抛光布；

第二粗抛工序，采用第二粗抛光液和第一抛光布；

第一精抛工序，采用第一细抛光液和第二抛光布；

第二精抛工序，采用第二细抛光液和第二抛光布；

各工序中转速的关系为：第一粗抛工序＜第二粗抛工序＜第一精抛工序＜第二精抛工序；所述第一抛光布的硬度大于所述第二抛光布的硬度；各工序中抛光温度为35℃～40℃。

2.根据权利要求1所述的锗晶片的双抛工艺，其特征在于，所述第一粗抛光液和所述第二粗抛光液的pH值呈碱性，所述第一粗抛光液包括：0号磨料、氧化剂、碱性pH调节剂，所述碱性pH调节剂为有机碱；所述第一粗抛光液的pH值为8-11。

3.根据权利要求2所述的锗晶片的双抛工艺，其特征在于，所述第二粗抛光液包括：0号磨料、氧化剂、碱性pH调节剂，所述碱性pH调节剂包括有机胺碱和磷酸氢二铵，所述第二粗抛光液的pH值为8-11。

4.根据权利要求3所述的锗晶片的双抛工艺，其特征在于，所述第一粗抛光液和所述第二粗抛光液中0号磨料的浓度关系为：所述第一粗抛光液＜所述第二粗抛光液。

5.根据权利要求3所述的锗晶片的双抛工艺，其特征在于，所述第一细抛光液和所述第二细抛光液的pH值呈酸性，所述第一精抛光液包括：1号磨料、酸性pH调节剂，所述酸性pH调节剂为有机酸；所述第一精抛光液的pH值为4-6。

6.根据权利要求5所述的锗晶片的双抛工艺，其特征在于，所述第二精抛光液包括：2号磨料、酸性pH调节剂，所述酸性pH调节剂为有机酸；所述第二精抛光液的pH值为4-6。

7.根据权利要求6所述的锗晶片的双抛工艺，其特征在于，各抛光液中磨料的粒度大小关系为：0号磨料＞1号磨料＞2号磨料。

8.根据权利要求1所述的锗晶片的双抛工艺，其特征在于，所述第一抛光布为聚氨酯或者聚氨酯内填充有氧化铈，所述第二抛光布为纤维复合物。

9.一种锗晶片的双抛装置，其特征在于，用于执行如权利要求1-8任一所述的锗晶片的双抛工艺，包括：

上盘和下盘，所述上盘和所述下盘上固定设置有抛光布；所述上盘上设置有用于喷洒抛光液的开口；

位于所述上盘和所述下盘之间的游星轮盘，所述游星轮盘上设置有用于容纳锗晶片的通孔。

10.一种锗晶片，其特征在于，采用如权利要求1-8任一所述的锗晶片的双抛工艺制备而成。