[发明专利]一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法

权利要求书

1.一种用于深孔PVD的金属自离子化装置，其特征在于，包括溅射腔体(1)、基片台(2)、溅射组件、绝缘环(4)、适配板(5)和离子化线圈组件；所述适配板(5)位于溅射腔体(1)上部，所述溅射组件位于溅射腔体(1)顶部，所述溅射组件通过绝缘环(4)与适配板(5)绝缘密封布置；所述基片台(2)位于溅射腔体(1)内，所述离子化线圈组件位于溅射腔体(1)内，且位于基片台(2)和溅射组件之间；所述离子化线圈组件包括离子化线圈(61)；所述溅射组件包括溅射靶材(31)，所述溅射靶材(31)的材质与离子化线圈(61)相同；所述基片台(2)与第一射频电源(81)连接；所述离子化线圈(61)与第二射频电源(82)连接。

2.根据权利要求1所述的用于深孔PVD的金属自离子化装置，其特征在于，所述离子化线圈组件还包括电极(62)、电极连接件(63)和电极绝缘件(64)；所述离子化线圈(61)为开口环形，所述离子化线圈(61)的开口两端分别通过电极连接件(63)与电极(62)连接，所述电极(62)安装在适配板(5)上，所述电极绝缘件(64)包覆在电极连接件(63)的表面；所述离子化线圈(61)的开口处的间隙宽度为3mm～5mm；所述电极连接件(63)的材质为无氧铜；所述电极连接件(63)为薄壁S型结构；所述电极(62)的数量至少为2个；所述电极(62)为陶封电极；所述电极连接件(63)的数量至少为2个。

3.根据权利要求2所述的用于深孔PVD的金属自离子化装置，其特征在于，所述金属自离子化装置还包括防污组件；所述防污组件包括上防污环(71)、内防污筒(72)、外防污筒(73)和压环(74)；所述上防污环(71)、内防污筒(72)、外防污筒(73)同心布置在溅射腔体(1)内；所述内防污筒(72)位于外防污筒(73)内，所述上防污环(71)位于内防污筒(72)与溅射组件之间；所述上防污环(71)、内防污筒(72)、外防污筒(73)的法兰边固定在适配板(5)上；所述内防污筒(72)、外防污筒(73)的下部中心位置设有通槽；所述基片台(2)位于通槽内，通过压环(74)遮挡基片台(2)与内防污筒(72)、外防污筒(73)之间的间隙；所述内防污筒(72)、外防污筒(73)上设有用于安装电极绝缘件(64)和电极连接件(63)的安装孔或缺口；所述离子化线圈(61)与防污组件、适配板(5)之间相对绝缘。

4.根据权利要求3所述的用于深孔PVD的金属自离子化装置，其特征在于，所述压环(74)与基片台(2)同心布置，所述压环(74)的下表面设有若干个用于将基片固定在基片台(2)上的接触点；所述基片台(2)、溅射组件、上防污环(71)、内防污筒(72)、压环(74)之间形成相对密封区域；所述上防污环(71)的上法兰面及内环面与溅射靶材(31)之间的间隙为1.5mm。

5.根据权利要求3所述的用于深孔PVD的金属自离子化装置，其特征在于，所述离子化线圈(61)上还设有绝缘固定组件(65)，所述绝缘固定组件(65)固定在内防污筒(72)上；所述绝缘固定组件(65)的数量至少为3个。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的用于深孔PVD的金属自离子化装置，其特征在于，所述溅射腔体(1)、基片台(2)、溅射组件、绝缘环(4)、适配板(5)和离子化线圈组件同心布置；所述溅射靶材(31)与直流溅射电源(9)连接；所述溅射腔体(1)还连通有抽真空组件；所述基片台(2)下方还设有用于升降和/或旋转的驱动组件；所述适配板(5)为中空结构。

7.根据权利要求6所述的用于深孔PVD的金属自离子化装置，其特征在于，所述溅射组件还包括旋转磁体(32)，所述旋转磁体(32)位于溅射靶材(31)的上方。

8.一种镀膜方法，其特征在于，所述镀膜方法是采用权利要求1～7中任一项所述的用于深孔PVD的金属自离子化装置对硅通孔进行镀膜处理。