[发明专利]放大电路在审

专利信息
申请号: 202210242206.X 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN114583925A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 巩启凡;陈愿 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/36;H03F3/45;H03F1/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 贺财俊;刘芳
地址: 230011 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 放大 电路
【权利要求书】:

1.一种放大电路,其特征在于,包括:

隔离模块,基于隔离信号隔离第一电源端和第二电源端;

采样模块,读取输入数据;

充电模块,基于充电信号将第一输出端和第二输出端耦合至所述第一电源端,对所述第一输出端和所述第二输出端充电至初始电压;

感测模块,基于放大信号、具有所述初始电压的所述第一输出端、具有所述初始电压的所述第二输出端和所述第二电源端对所述输入数据进行放大处理。

2.根据权利要求1所述的放大电路,其特征在于,所述输入数据包括:

第一输入数据和第二输入数据,且所述第一输入数据和所述第二输入数据为相反信号。

3.根据权利要求2所述的放大电路,其特征在于,所述隔离模块包括:

第一隔离单元,第一端与所述第一输出端耦合,第二端与所述第二电源端耦合,用于基于所述隔离信号,隔离第一输出端与第二电源端;

第二隔离单元,第一端与所述第二输出端耦合,第二端与所述第二电源端耦合,用于基于所述隔离信号,隔离第二输出端与第二电源端。

4.根据权利要求3所述的放大电路,其特征在于,所述隔离模块包括:

所述第一隔离单元包括第一N型晶体管,第一端与所述第一输出端耦合,第二端与所述第二电源端耦合,并且具有与所述隔离信号耦合的控制端;

所述第二隔离单元包括第二N型晶体管,第一端与所述第二输出端耦合,第二端与所述第二电源端耦合,并且具有与所述隔离信号耦合的控制端。

5.根据权利要求3所述的放大电路,其特征在于,所述感测模块包括:

第一P型晶体管,第一端与所述第一电源端耦合,第二端与所述第一输出端耦合,并且具有与所述第二输出端耦合的控制端;

第二P型晶体管,第一端与所述第一电源端耦合,第二端与所述第二输出端耦合,并且具有与所述第一输出端耦合的控制端;

第三N型晶体管,第一端与所述第一隔离单元的第二端耦合,第二端与所述第二电源端耦合,并且具有与所述第二输出端耦合的控制端;

第四N型晶体管,第一端与所述第二隔离单元的第二端耦合,第二端与所述第二电源端耦合,并且具有与所述第一输出端耦合的控制端。

6.根据权利要求5所述的放大电路,其特征在于,所述采样模块包括:

第一采样单元包括第五N型晶体管,用于基于所述放大信号读取所述第一输入数据;

第二采样单元包括第六N型晶体管,用于基于所述放大信号读取所述第二输入数据。

7.根据权利要求6所述的放大电路,其特征在于,所述第五N型晶体管包括:

第一端与所述第一隔离单元的第二端耦合,第二端与所述第三N型晶体管的第一端耦合,并且具有与所述第一输入数据耦合的控制端;或

第一端与所述第三N型晶体管的第二端耦合,第二端与所述第二电源端耦合,并且具有与所述第一输入数据耦合的控制端。

8.根据权利要求6所述的放大电路,其特征在于,所述第六N型晶体管包括:

第一端与所述第二隔离单元的第二端耦合,第二端与所述第四N型晶体管的第一端耦合,并且具有与所述第二输入数据耦合的控制端;或

第一端与所述第四N型晶体管的第二端耦合,第二端与所述第二电源端耦合,并且具有与所述第二输入数据耦合的控制端。

9.根据权利要求6所述的放大电路,其特征在于,还包括:

降噪模块,用于响应所述输入数据,避免在所述放大信号维持在有效状态的时间内,所述输入数据发生变化导致所述第一输出端和所述第二输出端输出错误信号;其中,所述降噪模块包括:

第一降噪单元,第一端与所述第一采样单元的第一端耦合,第二端与所述第一采样单元的第二端耦合,用于响应第二输入数据;

第二降噪单元,第一端与所述第二采样单元的第一端耦合,第二端与所述第二采样单元的第二端耦合,用于响应第一输入数据。

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