[发明专利]一种量子点发光层的处理方法、电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光层的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

在量子点发光层上以8000-10000rpm/min的转速旋涂质子溶剂，时间为0.5-1.5min，然后进行热处理至使质子溶剂挥发。

2.根据权利要求1所述的量子点发光层的处理方法，其特征在于，所述质子溶剂包括甲醇、乙醇、叔丁醇、苯甲醇组成的组合物中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的量子点发光层的处理方法，其特征在于，单位厘米面积的所述量子点发光层上旋涂的质子溶剂的用量为0.5-2ml。

4.根据权利要求1所述的量子点发光层的处理方法，其特征在于，所述热处理的温度为80-150℃，所述热处理的时间为10-30min。

5.根据权利要求1所述的量子点发光层的处理方法，其特征在于，所述量子点发光层的材料为表面连接有有机配体的量子点；

所述量子点选自包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、GaP、GaAs、InP、InAs和二元、三元、四元的II-VI化合物组成的组合中的至少一种；

和/或，所述量子点为钙钛矿型半导体；所述钙钛矿型半导体的结构通式为AMX₃或BMX₃，其中A为Cs，B选自CH₃(CH₂)n-2NH₃⁺或NH₃(CH₂)nNH₃²⁺，且n≥2中的至少一种，M选自Pb、Sn、Cu、Ni、Cd、Cr、Mn、Co、Fe、Ge、Yb和Eu组成的组合中的至少一种，X选自包括Cl、Br和I组成的组合中至少一种。

6.一种电致发光器件，其特征在于，包括：按由下至上依次叠加设置的：ITO基板、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极，其中量子点发光层靠近电子传输层的表面采用如权利要求1所述的量子点发光层的处理方法进行处理。

7.根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料选自包括PEDOT:PSS、PTPDES、PTPDES:TPBAH、PFO-co-NEPBN、PFO-co-NEPBN:F4-TCNQ、MoO_x、WO_x、NiO和CuO组成的组合中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自包括TFB、PVK、TCTA、TPD、Poly:TPD和CBP组成的组合中的至少一种。

9.根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料选自包括ZnO、TiO₂、SnO₂和Alq₃组成的组合中的至少一种。

10.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在ITO基板上依次形成空穴注入层和空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成量子点发光层，再在所述量子点发光层上以8000-10000rpm/min的转速旋涂质子溶剂，时间为0.5-1.5min，然后进行热处理至使质子溶剂挥发，所述热处理的温度为80-150℃，所述热处理的时间为10-30min；

在处理后的所述量子点发光层上依次形成电子传输层和金属阴极。