[发明专利]晶圆加工方法及晶圆加工装置

权利要求书

1.晶圆加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，取料机构将供料机构中位于取料高度的晶圆取出并放置于工作台上；

S2，定心移动机构使晶圆调整至与工作台同心的状态；

S3，工作台移动使其上同心固定的晶圆移动至环切工位；

S4，环切工位的切割机构启动对晶圆进行环切加工；

S5，切割后，工作台移出环切工位，移载机构将环切后的晶圆移动到清洗工位进行清洗；

S6，清洗后，将晶圆移动至UV解胶工位，通过定心移动机构使晶圆调整至与UV照射台同心的状态后，通过UV照射使支撑环与晶圆框架之间的薄膜上的胶去除粘性；

S7，定心移动机构将晶圆由UV解胶工位移动至剥离工位，并使晶圆与剥离台调整至同心状态，剥离机械手将固定在剥离台上的晶圆支撑环从晶圆上取下并移动到废环收集盒内，定心移动机构将剥离支撑环的晶圆下料。

2.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述S1包括如下步骤：

S11，供料机构使其上的一晶圆移动至与支撑轨道的支撑面高度相当的取料高度；

S12，支撑机构的两条支撑轨道相向移动至第三位置；

S13，取料机构向所述晶圆移动至夹取位置后，将所述晶圆抓取并移动至两条支撑轨道上；

S14，取料机构通过吸附头从所述晶圆的顶部将晶圆吸附；

S15，两条所述支撑轨道背向移动至第四位置，所述取料机构将其吸附的晶圆下移放置到所述工作台上。

3.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：在所述S3中，先通过真空吸附将晶圆吸附在工作台上，然后通过一组第一固定机构压紧晶圆的晶圆框架。

4.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述S5中，所述晶圆经过水洗、气吹及甩干三个阶段。

5.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述S5中，所述晶圆在清洗过程中由清洗工位的清洗台驱动转动，用于清洗的喷头在晶圆的顶部沿弧形往复摆动，所述喷头的摆动轨迹在所述清洗台上的晶圆顶面的投影跨过所述支撑环的内外侧。

6.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述S6中 ,所述UV照射台的直径与所述支撑环的外经相当，所述UV照射台的外周间隙围设有支撑环台。

7.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述S6中，在通过定心移动机构使晶圆调整至与剥离台同心的过程中，通过剥离台上的气孔向所述晶圆吹气。

8.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述S7包括：

S71,剥离机械手移动至其上的剥离夹爪的剥离刀片位于所述剥离工作台上的晶圆的外周且位于支撑环的下方；

S72，剥离机械手的剥离夹爪的剥离刀片收缩，收缩后，几个剥离夹爪的剥离刀片同步绕所述支撑环的轴线转动实现支撑环与薄膜的一次剥离；

S73,剥离机械手抬升至剥离刀片与支撑环的底面接触或邻近的位置，随后几个剥离夹爪同步绕所述支撑环的轴线转动实现支撑环与薄膜的二次剥离；

S74,剥离机械手继续上升将与薄膜剥离的支撑环抬走并移动至废环收集盒内。

9.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述S7中，剥离支撑环的晶圆移回所述供料机构。

10.晶圆加工装置，其特征在于，包括：

工作台，用于支撑并固定晶圆，所述工作台可在第一位置和第二位置之间移动；

供料机构，包括具有多个晶圆放置层的储料盒及驱动储料盒升降的顶升机构；

取料机构，用于将供料机构中的晶圆移动到第一位置的工作台上；

环切工位，用于对第二位置的工作台上的晶圆进行环切加工；

清洗工位，用于对位于其内的晶圆进行清洗；

移载机构，用于将晶圆在第一位置的工作台和清洗工位之间移动；

UV解胶工位，用于去除位于其内的晶圆的位于支撑环和晶圆框架之间的薄膜上的胶层的粘性；

剥离工位，用于将支撑环与晶圆的薄膜剥离并取走；

定心移动机构，用于将晶圆由第一位置的工作台上移动至UV解胶工位及剥离工位，以及使晶圆调整至与工作台、UV解胶工位的UV照射台及剥离台分别保持同心的状态；

所述工作台在第一位置时，所述供料机构、环切工位、清洗工位及UV解胶工位分布于所述工作台的四侧，所述剥离工位分布于所述UV解胶工位的外侧；

所述工作台在第二位置时，位于所述环切工位处。