[发明专利]单晶圆洁净设备与其监控方法

说明书

一种单晶圆洁净设备，包含平台、用以固持晶圆的晶圆支撑件，以及距离感测器。晶圆支撑件使晶圆相对于平台旋转。距离感测器设置于晶圆支撑件上，用以量测距离感测器与晶圆支撑件的外缘之间的距离。一种单晶圆洁净设备的监控方法也在此揭露。单晶圆洁净设备与其监控方法可以在进行单晶圆洁净工艺的过程中实时地监控晶圆支撑件的运作状态，并在晶圆支撑件出现异常运作的时候发出警示信号，以在执行下一个晶圆的洁净处理之前排除晶圆支撑件异常运作的状况，借此提升晶圆的制造良率。

技术领域

本发明是关于一种晶圆洁净设备与其监控方法。

背景技术

在半导体工艺中，于处理步骤后，通常会在晶圆上留下反应的残留物。举例而言，于蚀刻步骤后，常于晶圆上残留有高分子聚合物等物质。为了避免这些工艺残余物影响后续工艺的进行，并防止反应室与其他晶圆受到工艺残余物的污染，目前大都在完成处理步骤后，对处理后的晶圆进行清洗，借以移除粘附于晶圆上的工艺残余物，来确保工艺可靠度。

晶圆的湿式蚀刻(etching)和湿式洁净(cleaning)通常借由将批次的晶圆浸渍于液体中来达成，有时也借由将液体喷洒在批次的晶圆上来达成。然而，批次的晶圆的标准洁净循环的全部耗时较久，因此需要一种快速的单晶圆洁净工艺。

发明内容

本发明的一实施方式是关于一种单晶圆洁净设备，包含平台、用以固持晶圆的晶圆支撑件，以及距离感测器。晶圆支撑件使晶圆相对于平台旋转。距离感测器设置于晶圆支撑件上，用以量测距离感测器与晶圆支撑件的外缘之间的距离。

在一些实施例中，单晶圆洁净设备还包含处理单元，处理单元连接距离感测器，以在判断晶圆支撑件异常运作之后，发出警示信号。

在一些实施例中，距离感测器包含激光源以及接收器，激光源的发射方向与接收器的接收方向实质上垂直于晶圆支撑件。

在一些实施例中，晶圆支撑件包含抓取指，用以夹持晶圆，距离感测器设置为对准抓取指。

在一些实施例中，单晶圆洁净设备还包含液体喷嘴，用以喷洒清洁溶液于晶圆上。

在一些实施例中，单晶圆洁净设备还包含气体喷嘴，用以提供气体通过晶圆的上表面。

本发明的另一实施方式是关于一种单晶圆洁净设备的监控方法，包含侦测晶圆支撑件与距离感测器之间的距离；判断该距离的变化量是否大于预设值；判断该距离的变化量大于预设值的持续时间是否大于预设时间；以及当晶圆支撑件与距离感测器之间的该距离的变化量大于预设值，且该距离的变化量大于预设值的持续时间也大于预设时间时，发出警示信号。

在一些实施例中，侦测晶圆支撑件与距离感测器之间的该距离的步骤是在晶圆支撑件固持晶圆旋转的同时进行。

在一些实施例中，侦测晶圆支撑件与距离感测器之间的该距离的步骤包含侦测晶圆支撑件的抓取指与距离感测器之间的距离。

在一些实施例中，单晶圆洁净设备的监控方法还包含在发出警示信号之后，进行停机维修。

上述的单晶圆洁净设备与其监控方法可以在进行单晶圆洁净工艺的过程中实时地监控晶圆支撑件的运作状态，并在晶圆支撑件出现异常运作的时候发出警示信号，以在执行下一个晶圆的洁净处理之前排除晶圆支撑件异常运作的状况，借此提升晶圆的制造良率。

附图说明

为让本发明的目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细说明如下：

图1为本发明的一种单晶圆洁净设备的一实施例的侧视示意图。

图2为本发明的单晶圆洁净设备的一实施例运作时的俯视示意图。

图3A与图3B分别为本发明的单晶圆洁净设备一实施方式中，晶圆支撑件平稳运作与异常运作的距离-时间的图表。