[发明专利]一种高抛光液使用效率的抛光垫

权利要求书

1.一种高抛光液使用效率的抛光垫，用于抛光磁性的、光学的和半导体衬底中的至少一种的晶片，其特征在于：包括抛光层；

（1） 设置于所述抛光层中心的环形沟槽；

（2） 所述环形沟槽的外部衍生有长弧形沟槽，所述长弧形沟槽以所述环形沟槽的边缘处为起点，呈发散状延伸至所述抛光层的边缘，并将所述抛光层分割成若干组长桨叶状抛光区；

（3） 相邻两条所述长弧形沟槽之间的长桨叶状抛光区内设置有多级梯度的弧形沟槽，所述多级梯度弧形沟槽具有位于所述长桨叶状抛光区内起始点产生、并延伸到所述抛光层的外边缘，依据所述多级梯度弧形沟槽的起始点与抛光层圆心距离的远近，从内部到抛光层的外边缘依次设置有第一级、第二级……第N级弧形沟槽，长弧形沟槽定义为初级弧形沟槽；

（4） 所述长弧形沟槽的个数范围为5~50条；

（5）参考所述抛光垫同轴中心的极坐标，所述长弧形沟槽轨道坐标，所述长弧形沟槽圆心O₂的极角为B，所述长弧形沟槽上任一点P的极角为A，和所述长弧形沟槽的曲率半径为R，可用如下极坐标方程表示：

其中，R=0.5 R_pad ~ 2 R_pad，R_pad是抛光垫的半径；

用上面等式定义的所述长弧形沟槽轨道的弧度θ在10°~120°之间；

（6）所述多级梯度弧形沟槽轨道坐标为（ρ’，A’），根据所述多级梯度弧形沟槽圆心O’的极角为B’，所述多级梯度弧形沟槽上任一点P’极角为A’，所述多级梯度弧形沟槽的曲率半径为R’，可以用如下极坐标方程表示：

其中，R’=0.5 Rpad~2 Rpad，Rpad是抛光垫的半径；

用等式定义的所述多级梯度弧形沟槽轨道的弧度θ在10°~120°之间。

2.根据权利要求1所述的一种高抛光液使用效率的抛光垫，其特征在于：所述环形沟槽的横截面可以为矩形、半圆形、矩形加半圆组合型、梯形和三角形。

3.根据权利要求1所述的一种高抛光液使用效率的抛光垫，其特征在于：所述长弧形沟槽与所述多级梯度弧形沟槽的横截面可以为矩形、半圆形、矩形加半圆组合型、梯形和三角形。

4.根据权利要求1所述的一种高抛光液使用效率的抛光垫，其特征在于：所述长弧形沟槽与所述多级梯度弧形沟槽中，任意位置相邻的两根沟槽之间的距离范围为1mm~50mm。

5.根据权利要求1所述的一种高抛光液使用效率的抛光垫，其特征在于：所述抛光层的直径为50~1000mm，并且所述抛光层的厚度为0.5~5.0mm。

6.根据权利要求1所述的一种高抛光液使用效率的抛光垫，其特征在于：所述环形沟槽的半径为5~50mm，优选为10~25mm。

7.根据权利要求1所述的一种高抛光液使用效率的抛光垫，其特征在于：所述长弧形沟槽的数量小于或等于所述多级梯度弧形沟槽的数量。

8.根据权利要求1所述的一种高抛光液使用效率的抛光垫，其特征在于：相邻的两级所述多级梯度弧形沟槽的起始点距离所述抛光层的圆心的距离差值ΔL的范围为0.01R_pad~0.5R_pad。