[发明专利]一种抗辐照GaN/Ga2 在审
| 申请号： | 202210232467.3 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114709197A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 赵胜雷;舒磊;张进成;刘爽;李同德;王亮;赵杜钧;赵元富;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818 | 代理人： | 徐晟逸 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 gan ga base sub | ||
1.一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件，其特征在于：GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaN HEMT器件和高压耗尽型Ga2O3 FET器件，所述低压增强型GaN HEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3 FET器件相连通。
2.根据权利要求1所述的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件，其特征在于：所述低压增强型GaN HEMT器件包括栅极Gate1、源极Source1和漏极Drain1，所述高压耗尽型Ga2O3 FET器件包括栅极Gate2、源极Source2和漏极Drain2，所述漏极Drain1与所述源极Source2相连通，所述源极Source1与所述栅极Gate2相连通。
3.根据权利要求2所述的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件，其特征在于：所述栅极Gate1作为所述Cascode结构增强型功率器件的栅极，所述源极Source1作为所述Cascode结构增强型功率器件的源极，所述漏极Drain2作为所述Cascode结构增强型功率器件的漏极。
4.如权利要求1-3任意一项所述的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，
1)对低压增强型GaN HEMT器件和高压耗尽型Ga2O3 FET器件这两种结构的外延片分别进行减薄抛光；
2)对完成减薄抛光的两种结构外延片进行划片，分别挑出合格的芯片；
3)将划片后的两种结构的合格芯片进行芯片贴装；
4)对贴装后的芯片进行引线键合，将低压增强型GaN HEMT器件的漏极Drain1和高压耗尽型Ga2O3 FET器件的源极Source2互连，低压增强型GaN HEMT器件的源极Source1和高压耗尽型Ga2O3 FET的栅极Gate2互连；
5)将完成上述引线键合的芯片进行封装，然后将芯片进行包装，完成器件制作。
5.根据权利要求4所述的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件的制作方法，其特征在于：步骤1)中外延片的减薄抛光采用的方法为机械研磨和抛光。
6.根据权利要求4所述的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件的制作方法，其特征在于：步骤3)中芯片的贴装过程为将两种结构的芯片放到基板上的指定位置，并采用银浆固化的方法贴在引线的框架上。
7.根据权利要求4所述的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件的制作方法，其特征在于：步骤5)中封装采用塑封或金属陶瓷封装，包装采用绝缘的塑料或陶瓷材料。
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