[发明专利]输入级电路及放大器

权利要求书

1.一种输入级电路，其特征在于，包括：相连的输入ESD保护电路、直流钳位电路和交流钳位电路，所述交流钳位电路包括与所述输入ESD保护电路和直流钳位电路连接的辅助source follow电路和高通滤波电路，所述直流钳位电路、辅助source follow电路和高通滤波电路用于降低输入ESD保护电路的等效输入电容。

2.如权利要求1所述的输入级电路，其特征在于，所述直流钳位电路包括单位缓冲器unit buffer，所述单位缓冲器unit buffer的负极输入端与输出端相连且通过所述高通滤波电路与所述辅助source follow电路和所述输入ESD保护电路连接，所述辅助sourcefollow电路同时与所述输入ESD保护电路和所述单位缓冲器unit buffer的正极输入端连接。

3.如权利要求2所述的输入级电路，其特征在于，所述高通滤波电路包括电容C和电阻R1，所述电容C一端连接所述辅助source follow电路、另一端连接所述电阻R1的一端和所述输入ESD保护电路，所述电阻R1的另一端连接所述单位缓冲器unit buffer的输出端。

4.如权利要求2所述的输入级电路，其特征在于，所述输入ESD保护电路包括二极管V1、二极管V2、二极管V3和二极管V4，所述二极管V1的阳极连接二极管V2的阴极且连接所述高通滤波电路，所述二极管V2的阳极连接二极管V3的阴极且连接Pin输入端Input以及所述辅助source follow电路和所述单位缓冲器unit buffer的正极输入端，所述二极管V3的阳极连接二极管V4的阴极且连接所述高通滤波电路，所述二极管V4的阳极接地，所述二极管V1的阴极连接电源AVDD。

5.如权利要求1所述的输入级电路，其特征在于，所述输入级电路还包括与所述输入ESD保护电路连接的信号输入电路，所述信号输入电路包括主source follow电路、与所述主source follow电路连接的第一子source follow电路和第二子source follow电路，所述第一子source follow电路和第二子source follow电路用于降低所述主source follow电路的等效输入电容。

6.如权利要求5所述的输入级电路，其特征在于，所述主source follow电路包括PMOS管PM0、电流源电路lp1和电流源电路ln2；

所述PMOS管PM0的源极连接所述第一子source follow电路、所述电流源电路lp1和输出端OUTPUT，所述电流源电路lp1同时连接电源AVDD，所述PMOS管PM0的漏极连接所述第一子source follow电路和所述电流源电路ln2，所述电流源电路ln2接地AVSS，所述PMOS管PM0的栅极连接输入端INPUT和所述第二子source follow电路，所述PMOS管PM0的衬底连接所述第二子source follow电路。

7.如权利要求6所述的输入级电路，其特征在于，所述第一子source follow电路包括NMOS管NM1和电流源电路ln1；

所述NMOS管NM1的漏极连接电源AVDD，所述NMOS管NM1的源极连接所述电流源电路ln1和所述PMOS管PM0的漏极，所述电流源电路ln1同时接地AVSS，所述NMOS管NM1的衬底接地AVSS或者连接所述NMOS管NM1的源极，所述NMOS管NM1的栅极连接PMOS管PM0源极。

8.如权利要求7所述的输入级电路，其特征在于，所述第一子source follow电路还包括PMOS管PM3、电阻R2和电流源电路lp3；

所述电流源电路lp3连接于所述NMOS管NM1的漏极和电源AVDD之间，所述PMOS管PM3的源极连接NMOS管NM1的漏极，所述PMOS管PM3的栅极连接所述NMOS管NM1的源极，所述PMOS管PM3的漏极通过电阻R2接地AVSS，所述PMOS管PM3的衬底连接电源AVDD或者连接所述PMOS管PM3的源极。