[发明专利]一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体用BOE蚀刻液制备装置,其特征在于，包括制备桶、用于放置制备桶的仿形座和制备搅拌机构，所述仿形座的内壁设置有与制备桶相适配的冷却水套，所述制备桶的顶部向外成型有用于搭接在仿形座上的折边，所述制备搅拌机构包括门架、升降台、制备搅拌电机、搅拌桨、密封盖和两个升降驱动装置B，所述门架的两个支脚设置在仿形座的两侧，两个升降驱动装置B分别设置在门架的横梁长度方向两侧，所述密封盖与两个升降驱动装置B连接，且所述密封盖上设置有若干个用于不同药剂投料的投料口，所述升降台设置在门架的横梁底部中心，且所述制备搅拌电机设置在升降台的台面下方，所述制备搅拌电机的输出轴穿过密封盖与搅拌桨连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述折边的相对两侧上方设置有把手。

3.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述仿形座的相对两侧分别设置有用于方便冷却水套进水和出水的让位槽。

4.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述制备桶的内部成型有一圈搭接台阶，且所述搭接台阶上贴附有橡胶垫。

5.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述升降驱动装置A为驱动液压缸，两个升降驱动装置B均为电动推杆。

6.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述密封盖的中心设置有用于制备搅拌电机输出轴穿过的让位槽。

7.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述升降台包括伺服电缸和载台本体，伺服电缸设置在门架的横梁底部中心，所述载台本体与伺服电缸连接。

8.一种半导体用BOE蚀刻液制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤，

第一步，通过密封盖上的若干个投料口分别向制备罐内注入49wt％电子级氢氟酸(HF)，浓度为30wt％电子级氨水和超纯水依次加入到制备桶中，于室温下搅拌反应6-12小时，得到氢氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)的制备物(a)，所述制备物(a)中氢氟酸(HF)浓度为0.5-30wt％，氟化铵(NH4F)浓度为1-40wt％；

步骤二，待步骤一中所得制备物(a)通过向冷却水套内注入冷却水后冷却至室温，再通过密封盖的若干个投料口向制备桶内加入添加剂和烷基硫酸铵盐阴离子表面活性剂，所述的添加剂为脂肪族有机酸(C2-C12)、脂肪族有机碱(C2-C12)、脂肪族有机醇(C2-C12)中的一种或其组合物，得到制备物(b)；

第三步，将步骤二所得制备物(b)于室温下搅拌制备6-18小时，制备均匀后得到通明的BOE蚀刻液。