[发明专利]电迁移测试结构、半导体结构及三维存储器

说明书

本申请提供了一种电迁移测试结构、半导体结构及三维存储器。其中，电迁移测试结构包括测试线和衬底。测试线连接有阳极引线和阴极引线；衬底与阴极引线连接，衬底配置为通过阴极引线接收测试线中的静电荷。本申请通过将阴极引线接入衬底，从而使衬底能够通过阴极引线接收测试线中的静电荷，因此，在测试过程中以及在后续失效分析过程中即使引入了静电，这部分静电也可通过阴极引线导出至衬底中，以此减小测试和失效分析过程中测试线发生爆燃的可能性。

技术领域

本申请实施方式涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种电迁移测试结构、半导体结构及三维存储器。

背景技术

近年来，随着半导体结构的特征尺寸越来越小，可靠性评估也变得越来越重要，而电迁移测试又是评估后段金属连线工艺可靠性的重要手段。目前常用的是利用电迁移效应进行电迁移测试，图1示出了常用的电迁移测试结构1，包括待测金属线11、阳极信号输入线12和阴极信号输入线13，待测金属线11与阳极信号输入线12和阴极信号输入线13之间通过通孔结构14连接。

但是，由于利用电迁移效应进行电迁移测试过程中会在金属线内部形成空洞15(void)，参照图1A和图1B所示，同时利用电迁移效应的测试结构又是典型的浮动(floating)结构，如果待测金属线11中引入静电就可能会导致金属线在空洞15位置发生爆燃(burnout)，参照图1C所示。

例如，在电迁移测试结束拔线时引入静电，可能会导致样品在void位置发生爆燃，参照图2A所示。

再例如，电迁移测试结束后，在失效分析过程中用扫描电子显微镜(SEM)扫描样品也可能会导致样品在void位置发生爆燃，参照图2B所示。

发明内容

本申请提供了一种可至少部分解决相关技术中存在的上述问题的电迁移测试结构、半导体结构及三维存储器。

本申请一方面提供了一种电迁移测试结构，包括测试线和衬底。其中，测试线连接有阳极引线和阴极引线；衬底与阴极引线连接，衬底配置为通过阴极引线接收测试线中的静电荷。

在一些实施方式中，阴极引线包括叠层结构，叠层结构包括在垂直于衬底的方向上交替叠置的第一金属层和第二金属层；叠层结构的一端通过信号传输插塞与测试线连接，叠层结构的另一端与衬底连接。

在一些实施方式中，第一金属层包括多根相互交织呈网格状的金属线；第二金属层包括多个呈阵列状的金属通孔结构。其中，第一金属层中金属线的交织位置与第二金属层中的金属通孔结构一一对应连接。

一种电迁移测试结构，包括衬底和测试线。其中，测试线连接有第一引线和第二引线。其中，第一引线和第二引线分别通过电流单向导通结构与衬底连接，两个电流单向导通结构的导通方向相反；衬底配置为通过第一引线和第二引线接收测试线中的静电荷。

在一些实施方式中，第一引线和第二引线分别设置在测试线靠近衬底的一侧和远离衬底的一侧。或者，第一引线和第二引线均设置在测试线靠近衬底的一侧或远离衬底的一侧。

在一些实施方式中，两个电流单向导通结构形成在衬底中。其中，电流单向导通结构包括第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区具有第一掺杂离子，第一引线和第二引线分别与第一掺杂区连接。第二掺杂区至少位于第一掺杂区下方，且与第一掺杂区接触，第二掺杂区具有第二掺杂离子，第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相反。

在一些实施方式中，阴极引线和阳极引线均包括叠层结构，叠层结构包括交替叠置的第一金属层和第二金属层；叠层结构的一端通过信号传输插塞与测试线连接，叠层结构的另一端与衬底连接。

在一些实施方式中，第一金属层包括多根相互交织呈网格状的金属线；第二金属层包括多个呈阵列状的金属通孔结构。其中，第一金属层中金属线的交织位置与第二金属层中的金属通孔结构一一对应连接。

本申请实施方式另一方面提供了一种半导体结构，包括如上的电迁移测试结构。