[发明专利]存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

说明书

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：由多个处理电路的其中之一产生第一操作指令，其中第一操作指令指示存取多个存储器群组中的第一存储器群组；以及响应于第一状态信息，根据第一操作指令发送第一指令序列至第一存储器群组，以指示第一存储器群组执行存取操作。第一状态信息反映所述第一存储器群组的第一启动状态，且第一指令序列不包括用以启动第一存储器群组的控制指令序列。藉此，可提高多核心存储器控制电路单元对可复写式非易失性存储器模块的存取效能。

技术领域

本发明涉及一种存储器控制技术，尤其涉及一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

背景技术

智能手机、平板计算机及笔记本计算机在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

一般来说，在存储器控制器存取某一个存储器模块之前，存储器控制器需要先下达特定操作指令，以启动此存储器模块。在启动此存储器模块后，存储器控制器可接续下达存取指令序列以存取此存储器模块。然而，在多核心存储器控制器的控制机制中，多核心存储器控制器的多个中央处理器彼此间不知道各自存取过哪些存储器模块。因此，多核心存储器控制器的每一个中央处理器往往会在每次存取存储器模块之前都发送上述特定操作指令，以尝试启动所欲存取的存储器模块。这样的多余行为也造成多核心存储器控制器的存取效能下降。

发明内容

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提高多核心存储器控制电路单元对可复写式非易失性存储器模块的存取效能。

本发明的范例实施例提供一种存储器控制方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储器群组。所述存储器控制方法包括：由多个处理电路的其中之一产生第一操作指令，其中所述第一操作指令指示存取所述多个存储器群组中的第一存储器群组；以及响应于第一状态信息，根据所述第一操作指令发送第一指令序列至所述第一存储器群组，以指示所述第一存储器群组执行存取操作。所述第一状态信息反映所述第一存储器群组的第一启动状态，所述第一指令序列不包括控制指令序列，并且所述控制指令序列用以启动所述第一存储器群组。

在本发明的一范例实施例中，所述第一启动状态包括所述第一存储器群组已被启动的状态。

在本发明的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：响应于第二状态信息，根据所述第一操作指令发送第二指令序列至所述第一存储器群组，以指示所述第一存储器群组执行所述存取操作，其中所述第二状态信息反映所述第一存储器群组的第二启动状态，并且所述第二指令序列包括所述控制指令序列。

在本发明的一范例实施例中，所述第二启动状态包括所述第一存储器群组未被启动的状态。

在本发明的一范例实施例中，所述第二指令序列还包括存取指令序列，所述存取指令序列携带与所述存取操作有关的指令信息，并且所述控制指令序列在所述存取指令序列之前被传送至所述第一存储器群组。

在本发明的一范例实施例中，所述控制指令序列是用以将对应于所述第一存储器群组的芯片内终结电路调整至预定状态。

在本发明的一范例实施例中，所述第一操作指令包括群组识别信息、所述控制指令序列及存取指令序列，并且所述群组识别信息反映出所述第一操作指令所指示存取的存储器模块为所述第一存储器模块。

在本发明的一范例实施例中，响应于所述第一状态信息，根据所述第一操作指令发送所述第一指令序列至所述第一存储器群组的步骤包括：根据所述群组识别信息与所述第一状态信息忽略所述控制指令序列；以及根据所述存取指令序列发送所述第一指令序列至所述第一存储器群组。