[发明专利]超导带材微观结构置样分析方法

权利要求书

1.一种超导带材微观结构置样分析方法，其特征在于，包括：

步骤1：用金属层对超导带材进行封装；

步骤2：分离预设长度的封装在超导带材两侧的金属层；

步骤3：固定超导带材和靠近超导层一侧的金属层，分离靠近所述超导带材基带层一侧的金属层；

步骤4：从所述超导带材上分离所述超导带材的超导层和缓冲层；

步骤5：对分离出的超导层或缓冲层进行置样；

步骤6：用检测设备对置样的所述超导层或缓冲层进行观测。

2.根据权利要求1所述的超导带材微观结构置样分析方法，其特征在于，在所述步骤1之前还包括：

步骤0：对超导带材进行临界电流测试，得到临界电流分布数据，确定临界电流退化点的具体位置，用于置样分析。

3.根据权利要求1所述的超导带材微观结构置样分析方法，其特征在于，在所述步骤6之后还包括：

步骤7：对置样的所述缓冲层和所述超导层进行腐蚀；

步骤8：用检测设备对腐蚀后的所述超导层和缓冲层进行观测。

4.根据权利要求3所述的超导带材微观结构置样分析方法，其特征在于，在所述步骤6和步骤8中的检测设备包括其中一样或多样：光学显微镜、扫描电镜、透射电镜、原子力显微镜、椭偏仪、轮廓仪、X射线衍射仪和反射高能衍射仪。

5.根据权利要求1所述的超导带材微观结构置样分析方法，其特征在于，所述步骤2中分离预设长度的封装在超导带材两侧的金属层的方法包括：

对超导带材的预设位置进行反复弯折直至封装的金属层断裂，从断裂处撕开得到两侧封装的金属层。

6.根据权利要求1所述的超导带材微观结构置样分析方法，其特征在于，所述步骤3中，固定超导带材和靠近超导层一侧的金属层，分离靠近所述超导带材基带层一侧的金属层时，保证超导层和缓冲层之间没有任何的撕开。

7.根据权利要求1所述的超导带材微观结构置样分析方法，其特征在于，所述步骤4中，相反方向轻轻拉开，分离所述超导带材的超导层和缓冲层，确保超导层和缓冲层从界面脱开。

8.根据权利要求1所述的超导带材微观结构置样分析方法，其特征在于，分离出的金属层中，靠近所述超导带材基带层一侧的金属层内表面无涂层，靠近超导层一侧的金属层内表面沾有所述超导层的涂层。

9.根据权利要求3所述的超导带材微观结构置样分析方法，其特征在于，所述步骤7中腐蚀的方式包括：超导层用3-10％左右的稀盐酸。

10.根据权利要求3所述的超导带材微观结构置样分析方法，其特征在于，所述步骤7中腐蚀的方式包括：

用化学腐蚀的方式腐蚀所述缓冲层；

其中，用5％-20％的NaOH来腐蚀Al2O3；

腐蚀时，采用超声波震荡腐蚀溶液。