[发明专利]一种纯相Si2

权利要求书

1.一种纯相Si₂N₂O粉体的合成方法，所述合成方法包括：

将硅源与氮源进行反应得到硅胺前驱体和卤化铵的混合粉体；

将混合粉体中通入氧源增氧合成含氧前驱体粉体，含氧前驱体粉体脱除卤化铵后热分解获得纯相Si₂N₂O粉体；

或，脱除混合粉体中的卤化铵后再通入氧源增氧合成含氧前驱体粉体，最后将含氧前驱体粉体热分解获得纯相Si₂N₂O粉体；

所述氮源与硅源的反应温度为-30 ^oC～150 ^oC；所述增氧的处理温度为室温～1000 ^oC；所述含氧前驱体粉体热分解晶化为Si₂N₂O的温度为1300～1700 ^oC，保温时间1～10 h；

所述硅源以SiCl₄计，所述氮源以NH₃计，所述氧源以水蒸气计；硅源与氮源的摩尔比为1:6～1:20，所述氧源与硅胺前驱体的质量比为1:1～1:20。

2.根据权利要求1中所述的一种纯相Si₂N₂O粉体的合成方法，其特征在于，所述硅源为SiCl_xH_4-x或SiBr_xH_4-x，0＜x≤4；所述氮源为NH₃；所述氧源为水蒸气、O₂和N₂O中的一种或多种，所述热分解的热分解气氛为H₂、Ar、N₂、NH₃和He中的一种或多种。

3. 根据权利要求1中所述的一种纯相Si₂N₂O粉体的合成方法，其特征在于，所述脱除混合粉体中的卤化铵的方法为热分解法或洗涤法；热分解法的加热温度300～1000 ^oC，加热时间为0.5～10 h；洗涤法的洗涤剂为液氨、乙醇或乙二胺。