[发明专利]显示基板及其制备方法、修复方法、显示装置在审
申请号: | 202210225423.8 | 申请日: | 2022-03-09 |
公开(公告)号: | CN115000133A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 王海涛;汪军;王庆贺;张扬;刘军;成军 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/66 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 修复 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括阵列排布的多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素,至少一个子像素包括设置在基底上的驱动电路层,所述驱动电路层包括备用信号线以及与所述备用信号线绝缘交叉的多个第一信号线;
所述第一信号线包括备用连接电极,所述备用连接电极在所述基底上的正投影与所述备用信号线在所述基底上的正投影存在第一重叠区域。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,至少一个子像素的驱动电路层包括在所述基底上依次设置的第一导电层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二导电层、第三绝缘层和第三导电层,所述备用信号线位于所述第二导电层,所述多个第一信号线位于所述第三导电层。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第三绝缘层设有备用半过孔,所述备用半过孔填充有所述备用连接电极,所述备用半过孔在所述基底上的正投影位于所述第一重叠区域的范围内。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板,其特征在于,在所述显示基板所在平面内,所述多个子像素包括沿第一方向依次设置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;所述多个第一信号线包括数据信号线,所述备用连接电极包括第一备用连接电极;
所述数据信号线分别设置在每个子像素,所述数据信号线包括主体部分和第一分支部分,所述第一分支部分包括所述第一备用连接电极,所述数据信号线的主体部分沿着第二方向延伸;在第一子像素和第三子像素中的第一备用连接电极沿第一方向的反方向延伸,在第二子像素和第四子像素中的第一备用连接电极沿第一方向延伸。
5.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板,其特征在于,在所述显示基板所在平面内,所述多个子像素包括沿第一方向依次设置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;所述多个第一信号线包括第一电源线,所述备用连接电极包括第二备用连接电极;
所述第一电源线包括主体部分和分支部分,所述第一电源线的分支部分包括所述第二备用连接电极,所述第一电源线的主体部分设置在所述第二子像素和所述第三子像素之间,所述第二备用连接电极位于所述第二子像素和/或第三子像素;
所述第一电源线的主体部分沿着第二方向延伸,在第二子像素中的第二备用连接电极沿第一方向的反方向延伸,在第三子像素中的第二备用连接电极沿第一方向延伸。
6.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板,其特征在于,在所述显示基板所在平面内,所述多个子像素包括沿第一方向依次设置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;所述多个第一信号线包括补偿信号线,所述备用连接电极包括第三备用连接电极;
所述补偿信号线分别设置在第一子像素和第四子像素,所述补偿信号线包括主体部分和分支部分,所述补偿信号线的分支部分包括所述第三备用连接电极,所述补偿信号线的主体部分沿着第二方向延伸;在第一子像素中,第三备用连接电极沿第一方向延伸;在第四子像素中,第三备用连接电极沿第一方向的反方向延伸。
7.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板,其特征在于,所述备用信号线位于至少两个像素单元中。
8.根据权利要求2或3所述的显示基板,其特征在于,至少一个子像素中,所述驱动电路还包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管;所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的有源层位于所述半导体层,所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的栅电极位于所述第二导电层,所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的第一极和第二极位于所述第三导电层。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,至少一个子像素中,所述驱动电路还包括遮挡层,所述遮挡层位于所述第一导电层上,所述第二晶体管的有源层在基底上的正投影位于所述遮挡层在基底上的正投影的范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的