[发明专利]光取出材料、有机电致发光器件及显示装置

权利要求书

1.一种光取出材料，其特征在于，所述光取出材料的结构通式如式(I)所示：

其中，Ar1，Ar2，Ar3，Ar4中至少一个为式(II)或式(III)所示结构；

其中，*为与式(I)的结构的连接位置；X为C、N中的一种，且至少一个X为N；Y为C、N、O、S中的一种；L1，L2，L3，L4各自独立选自单键，取代或未取代的C2-C30的烷基，取代或未取代的C6～C60的亚芳基或稠合芳基、或者取代或未取代的C5～C60的亚杂芳基；

Ar5，Ar6各自独立选自氢，取代或未取代的C2-C30的烷基，取代或未取代的C6～C60芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的C5～C60的杂芳基；所述杂原子为N、O、S中的一种。

2.根据权利要求1所述的光取出材料，其特征在于，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4均为非式(II)和式(III)所示结构时，

Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立选自氢，取代或未取代的C10～C60的稠和芳基，取代或未取代的C2-C30的烷基，取代或未取代的C6～C60芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的C5～C60的五元或六元的杂芳基；所述杂原子为N、O、S中的一种。

3.根据权利要求1所述的光取出材料，其特征在于，式(I)所示的结构中，一个或两个X为N。

4.根据权利要求1所述的光取出材料，其特征在于，所述光取出材料对波长大于或等于450纳米的光线的折射率大于或等于2.1。

5.根据权利要求1所述的光取出材料，其特征在于，所述光取出材料对波长小于或等于400纳米的光线的吸收系数大于或等于0.5。

6.根据权利要求1所述的光取出材料，其特征在于，所述光取出材料对波长大于或等于450纳米的光线的吸收系数小于或等于0.1。

7.根据权利要求1所述的光取出材料，其特征在于，所述光取出材料的玻璃化转变温度大于或等于120摄氏度。

8.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括：相对设置的第一电极和第二电极、位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机电致发光层、及位于所述第二电极背离所述第一电极一侧的光取出层；

所述光取出层的材料包括如权利要求1至7任一项所述的光取出材料。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括：电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、空穴传输层和空穴注入层；

所述电子注入层、所述电子传输层、所述空穴阻挡层位于所述第一电极和所述有机电致发光层之间，且沿着背离所述第一电极的方向依次设置；

所述电子阻挡层、所述空穴传输层、所述空穴注入层位于所述第二电极和所述有机电致发光层之间，且沿着背离所述第一电极的方向依次设置。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的有机电致发光器件。