[发明专利]一种本征宽禁带半导体的制备方法及应用

权利要求书

1.一种本征宽禁带半导体的制备方法，其特征在于：在制备本征宽禁带半导体材料的过程中，通过电极在宽禁带半导体材料上施加制备偏压，所述制备偏压为-10～10伏；

若所述宽禁带半导体材料自发形成N型导电特性，则施加正向偏压；若所述宽禁带半导体材料自发形成P型导电特性，则施加负向偏压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述宽禁带半导体材料的形态包括单晶、薄膜及纳米结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过水热法、熔融法或分子束外延生长方式，在电极施加的制备偏压下生长所述宽禁带半导体材料。

4.如权利要求1～3任意一项所述的方法在制备本征以及P型掺杂氧化锌单晶、薄膜或纳米结构中的应用。

5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，在氧化锌的生成区域施加制备偏压，所述制备偏压为1～3伏。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述P型掺杂元素包括Li、Na、Ag、N、P、As中的一种或多种元素。