[发明专利]一种纯无机铅卤钙钛矿吸收层及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种纯无机铅卤钙钛矿吸收层的制备方法，其特征在于，包括步骤：

步骤1，将涂有SnO₂中间层的导电衬底置于双温区管式炉的低温区，将前驱体粉末置于双温区管式炉高温区作为蒸发源；所述前驱体粉末为CsBr和PbBr₂的混合物；

步骤2，将石英管抽真空后，将所述低温区和高温区分别升温至100～300℃和550～660℃，通入载气，保温20～40min，在SnO₂中间层上形成钙钛矿膜，得到所述纯无机铅卤钙钛矿吸收层；

步骤2中通入载气后，管内的沉积气压为200～400Pa；通入载气流量为100～200sccm；

所述纯无机铅卤钙钛矿膜的厚度为0.2～200μm；

所述导电衬底靠近高温区一端与高温区靠近低温区一端的最短距离为2cm～15cm；所述蒸发源靠近低温区一端与低温区靠近高温区一端的最短距离为5～15cm；

所述纯无机铅卤钙钛矿吸收层成分为CsPbBr₃和Cs₄PbBr₆。

2.根据权利要求1所述的纯无机铅卤钙钛矿吸收层的制备方法，其特征在于，所述前驱体粉末中CsBr与PbBr₂的摩尔比为1～2.4:1。

3.根据权利要求1所述的纯无机铅卤钙钛矿吸收层的制备方法，其特征在于，步骤2中，石英管抽真空至4Pa以下。

4.根据权利要求1所述的纯无机铅卤钙钛矿吸收层的制备方法，其特征在于，所述载气为惰性气体，包括氮气和/或氩气。

5.根据权利要求1所述的纯无机铅卤钙钛矿吸收层的制备方法，其特征在于，所述SnO₂中间层的制备过程具体包括：在导电衬底上旋涂SnO₂分散液后退火处理。

6.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法制备得到的纯无机铅卤钙钛矿吸收层，其特征在于，所述纯无机铅卤钙钛矿吸收层成分为CsPbBr₃和Cs₄PbBr₆。

7.一种纯无机铅卤钙钛矿X射线探测器，其特征在于，包括权利要求6所述的纯无机铅卤钙钛矿吸收层和顶电极。

8.根据权利要求7所述的纯无机铅卤钙钛矿X射线探测器在射线探测中的应用。