[发明专利]基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI2

权利要求书

1.基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在蒸发腔室中放置多个矩形阵列排布于同一平面的衬底，并在矩形阵列的长度或宽度方向的两侧分别放入蒸发源溴化铯和碘化铅；

步骤2、对蒸发腔室抽真空，待真空度达到2×10^-4～5×10^-4Pa以下，设定衬底温度为120～150℃，保持衬底挡板关闭，分别调节碘化铅和溴化铯的蒸发速率至稳定，分别为和

步骤3、待蒸发源速率稳定后，保持衬底位置固定，打开衬底挡板，开始高通量气相共蒸沉积薄膜，获得原始薄膜；

步骤4、沉积结束后取出原始薄膜，然后将原始薄膜在空气中进行第一步退火，即在240～260℃的温度下退火30～40s，获得初步CsPbI₂Br钙钛矿薄膜；

步骤5、将初步CsPbI₂Br钙钛矿薄膜放置于氮气中进行第二步退火，即在240～260℃的温度下退火50～60s，获得CsBr:PbI₂的含量沿两个蒸发源位置方向呈梯度变化的稳定CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜；

其中，当蒸发源溴化铯和碘化铅间距30cm，衬底位于蒸发源溴化铯和碘化铅之间距离溴化铯10～14cm处的正上方25cm位置时，所得稳定CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜的三维CsPbI₂Br钙钛矿晶界处分布零维Cs₄PbI_6-xBr_x“分子锁”结构。

2.根据权利要求1所述基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，步骤3中所述原始薄膜的厚度为400～500nm。

3.一种基于稳定CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括自下而上依次设置的基底、电子传输层、稳定CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜、空穴传输层和金属电极；所述稳定CsPbI₂Br无机钙钛矿薄膜采用如权利要求1所述方法制备。