[发明专利]用于制备封装基板的承载板、封装基板结构及其制作方法

说明书

本发明公开了一种用于制备封装基板的承载板，包括介质层、在所述介质层内的种子层和在所述种子层上的铜柱层，所述种子层的底端高于所述介质层的下表面，所述铜柱层的顶端低于所述介质层的上表面，所述介质层的上下表面上分别设置有第一金属层和第二金属层。还公开了一种封装基板结构以及封装基板结构的制作方法。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，具体涉及用于制备封装基板的承载板、封装基板结构及其制作方法。

背景技术

现有技术制作核心层实心铜柱采用机械钻盲钻后再进行填孔电镀，制备得到的机械盲孔的底部会存在残余突起(Stub)，影响到铜柱的制作，导致层与层之间的连接导通不好。

此外，机械盲孔的孔径纵横比大，填孔电镀后得到的铜柱品质较差。

发明内容

本发明的实施方案涉及提供一种用于制备封装基板的承载板、封装基板结构及其制作方法。

本发明第一方面涉及一种用于制备封装基板的承载板，包括介质层、在所述介质层内的种子层和在所述种子层上的铜柱层，所述种子层的底端高于所述介质层的下表面，所述铜柱层的顶端低于所述介质层的上表面，所述介质层的上下表面上分别设置有第一金属层和第二金属层。

在一些实施方案中，所述介质层包括沿纵向排布的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的上表面和所述第二介质层的下表面贴合，所述第二介质层内设置有种子层和在所述种子层上的铜柱层，所述种子层的下表面与所述第二介质层的下表面平齐，所述铜柱层的顶端低于所述第二介质层的上表面，所述第一介质层的下表面上设置有第一金属层，所述第二介质层的上表面上设置有第二金属层。

在一些实施方案中，所述第一介质层内设置有暴露所述种子层的第一导通孔，所述第一导通孔贯穿所述第一金属层，所述第二介质层内设置有暴露所述铜柱层顶端的第二导通孔，所述第二导通孔贯穿所述第二金属层。

在一些实施方案中，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度相同或相近。

本发明的第二方面提供一种封装基板结构，包括沿纵向排布的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的上表面和所述第二介质层的下表面贴合，所述第二介质层内设置有种子层、在所述种子层上的铜柱层和在所述铜柱层上的第二导通柱层，所述种子层与所述第二介质层的下表面平齐，所述第一介质层内设置有第一导通柱层，所述第一导通柱层与所述种子层连通，所述第一介质层的下表面上设置有第一线路层，所述第二介质层的上表面上设置有第二线路层，所述第一线路层和所述第二线路层通过所述第一导通柱层、所述铜柱层和所述第二导通柱层导通连接。

在一些实施方案中，所述第一介质层和所述第二介质层相同或不同。

在一些实施方案中，所述铜柱层包括至少一个铜柱。

在一些实施方案中，还包括在所述第一线路层上的第三介质层和在所述第二线路层上的第四介质层，所述第三介质层内设置有第三导通柱层，所述第三介质层的下表面上设置有第三线路层，所述第一线路层和所述第三线路层通过所述第三导通柱层导通连接，所述第四介质层内设置有第四导通柱层，所述第四介质层的上表面上设置有第四线路层，所述第二线路层和所述第四线路层通过所述第四导通柱层导通连接。

在一些实施方案中，导通柱层包括至少一个导通柱。

在一些实施方案中，还包括在所述第三线路层外的第一阻焊层和在所述第四线路层外的第二阻焊层，所述第一阻焊层和所述第二阻焊层内分别设置有第一阻焊开窗和第二阻焊开窗。

本发明的第三方面提供一种封装基板结构的制造方法，包括如下步骤：

(a)准备第一介质层，并在所述第一介质层的上下表面上分别形成第一金属层；

(b)在所述第一介质层上表面的第一金属层上制备铜柱层，并蚀刻所述第一介质层上表面上暴露的第一金属层形成种子层；