[发明专利]一种PSC和HIT的叠层太阳能电池

权利要求书

1.一种PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述PSC和HIT的叠层太阳能电池包括：

在第一方向上依次层叠设置的碳对电极膜层、钙钛矿光敏活性膜层、电子传输膜层、第一透明导电氧化物膜层、N型非晶硅膜层、第一i型本征富氢非晶硅膜层、N型单晶硅片基底、第二i型本征富氢非晶硅膜层、P型非晶硅膜层、第二透明导电氧化物膜层以及背电极膜层；

其中，所述第一方向垂直于所述碳对电极膜层，且由所述碳对电极膜层指向所述钙钛矿光敏活性膜层。

2.根据权利要求1所述的PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物膜层的材料为ITO、FTO中的一种材料。

3.根据权利要求1所述的PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物膜层的厚度为30nm-150nm。

4.根据权利要求1所述的PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述电子传输膜层的材料为TiO₂、SnO₂、ZnO、Nb₂O₅、Cr₂O₃、WO₃中的一种材料。

5.根据权利要求1所述的PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述电子传输膜层的厚度为30nm-90nm。

6.根据权利要求1所述的PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述介孔支架膜层的材料为TiO₂、Al₂O₃、ZrO₂中的一种材料。

7.根据权利要求1所述的PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述介孔支架膜层的厚度为200nm-400nm。

8.根据权利要求1所述的PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿光敏活性膜层的材料为CsPbI_xBr_3-x、CsSnI_xBr_3-x、CsPbI_xCl_3-x、CsSnI_xCl_3-x中的一种材料。

9.根据权利要求1所述的PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿光敏活性膜层的厚度为300nm-500nm。

10.根据权利要求1所述的PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述碳对电极膜层的材料为导电炭黑、碳纳米管、石墨、碳纤维中的一种或多种混合组成的导电碳浆料。

11.根据权利要求1所述的PSC和HIT的叠层太阳能电池，其特征在于，所述PSC和HIT的叠层太阳能电池还包括：

位于所述钙钛矿光敏活性膜层和所述电子传输层之间的介孔支架膜层。