[发明专利]电极组件和半导体工艺设备在审
申请号: | 202210202124.2 | 申请日: | 2022-03-02 |
公开(公告)号: | CN114695061A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 余江浦 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 高东 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 组件 半导体 工艺设备 | ||
本发明公开一种电极组件和半导体工艺设备,涉及半导体制造技术领域。该电极组件包括线圈和匹配器,线圈和匹配器至少一者的连接端上设有导电弹片,且线圈通过导电弹片选择性的与匹配器相连。该方案能解决半导体工艺设备合腔困难的问题。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种电极组件和半导体工艺设备。
背景技术
在集成电路制造工艺中,刻蚀机一般用于在晶圆表面通过等离子体轰击的方式刻出各式各样的沟槽。在刻蚀过程中,需要在工艺腔室内形成强电场,以使工艺腔室内的工艺气体可以在强电场的作用下被电离分解,以产生等离子体。产生的等离子体在电场及流场的作用下高速移动,轰击晶圆表面。
为了产生理想强度和方向的电场,相关技术中,工艺腔室包括匹配器、多个射频连接柱和线圈。具体的,匹配器通过多个射频连接柱与线圈相连,以通过匹配器向线圈输入一定强度的电流,使得线圈产生的电场可以穿过介质窗进入工艺腔室内部。射频连接柱包括上连接柱和下连接柱,其中,上连接柱设置有插头,下连接柱设置有插槽。上连接柱通过插头插入插槽与下连接柱相连。
在对工艺腔室进行维护的过程中,需要打开工艺腔室,通过分离上连接柱和下连接柱进而将匹配器和线圈分离。维护结束后合腔过程当中,上、下连接柱的连接处又需要接合在一起,但是多个射频连接柱难以同时完美对中,合腔较为困难。
发明内容
本发明公开一种电极组件和半导体工艺设备,以解决半导体工艺设备合腔困难的问题。
为了解决上述问题,本发明采用下述技术方案:
本发明所述的电极组件包括线圈和匹配器,线圈和匹配器至少一者的连接端上设有导电弹片,且线圈通过导电弹片选择性的与匹配器相连。
基于本发明所述的电极组件,本发明还提供一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备本发明所述的电极组件。半导体工艺设备还包括反应腔室,反应腔室包括腔体和设置于腔体上方的介质窗,线圈设置于介质窗的背离腔体的一侧,电极组件用以向反应腔室加载射频能量。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果:
本发明实施例公开的电极组件中,线圈和匹配器中至少一者的连接段设置有导电弹片,以使线圈的连接端和匹配器的连接端可以通过导电弹片抵触相连。在半导体工艺设备合腔的过程中,无需线圈的连接端和匹配器的连接端相互对中,也能够实现线圈的连接端和匹配器的连接端相连,进而可以降低线圈的连接端与匹配器的连接端连接的难度。进而降低半导体工艺设备合腔的难度。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明一种实施例公开的线圈的连接端和匹配器的连接端分离的示意图;
图2为本发明一种实施例公开的线圈的连接端和匹配器的连接端连接的示意图;
图3为本发明第一种实施例公开的线圈的连接端的俯视图;
图4为本发明第一种实施例公开的线圈的连接端的局部示意图;
图5为本发明第一种实施例公开的线圈的连接端或匹配器的连接端与导电弹片的装配示意图;
图6为本发明第二种实施例公开的线圈的连接端或匹配器的连接端的局部示意图;
图7为本发明第二种实施例公开的线圈的连接端或匹配器的连接端与导电弹片的装配示意图;
图8为本发明一种实施例公开的导电弹片的连接部展开后的示意图;
图9为本发明一种实施例公开的导电弹片的连接部弯折后的示意图;
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