[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

离子源，生成离子；

引出部，通过从所述离子源引出所述离子并使其加速来生成离子束；

线性加速装置，使通过所述引出部引出的所述离子束加速；

静电加减速装置，使从所述线性加速装置输出的所述离子束加速或减速；及

注入处理室，进行将从所述静电加减速装置输出的所述离子束照射到晶片的注入处理。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述静电加减速装置利用第1电位与第2电位之间的电位差来使所述离子束加速或减速，所述第1电位施加于包括所述线性加速装置的第1框体，所述第2电位施加于包括所述注入处理室的第2框体。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述静电加减速装置具有直流电源，该直流电源对包括所述线性加速装置的第1框体及包括所述注入处理室的第2框体中的至少一者施加直流电压。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，还具备：

控制装置，通过在固定了所述线性加速装置的动作参数的状态下变更所述静电加减速装置的加减速电压，由此变更照射到所述晶片的所述离子束的射束能量。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述注入处理室包括：晶片保持部，在所述离子束所照射的位置保持晶片；晶片容纳部，在所述离子束不照射的位置容纳晶片；及晶片传送机构，在所述晶片保持部与所述晶片容纳部之间传送晶片。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，还具备：

可变狭缝，设置于比所述静电加减速装置更靠上游侧，并调整照射到所述晶片的所述离子束的射束电流量。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，还具备：

可变狭缝，设置于比所述静电加减速装置更靠下游侧，并调整照射到所述晶片的所述离子束的射束电流量。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，还具备：

带射束生成器，设置于所述线性加速装置与所述静电加减速装置之间，通过在与射束行进方向正交的平面内使所述离子束发散来生成带射束，或者通过使所述离子束往复扫描来生成带状射束。

9.根据权利要求8所述的离子注入装置，其特征在于，还具备：

射束平行化器，设置于所述带射束生成器与所述静电加减速装置之间，使所述带射束的行进方向或构成所述带状射束的各射束的行进方向平行化。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，还具备：

能量分析装置，设置于所述静电加减速装置的下游侧。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，还具备：

质谱分析装置，设置于所述离子源与所述线性加速装置之间。

12.一种离子注入方法，其特征在于，具备如下工序：

通过线性加速装置使离子束加速；

通过静电加减速装置使从所述线性加速装置输出的所述离子束加速或减速；及

将从所述静电加减速装置输出的所述离子束照射到晶片。

13.根据权利要求12所述的离子注入方法，其特征在于，还具备如下工序：

通过在固定了所述线性加速装置的动作参数的状态下变更所述静电加减速装置的加减速电压，由此变更照射到所述晶片的所述离子束的射束能量。